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2.2 PN结的形成与特性 模拟电子技术基础 半导体晶体的共价键结构 掺 本征激发 三价元素 杂 五价元素 成 对 出 载流子 现 模拟电子技术基础 掺 三价元素 五价元素 杂 P型半导体 N型半导体 模拟电子技术基础 什么情况下，在半导体内会有扩散力？ 掺 三价元素 五价元素 杂 P N 模拟电子技术基础 2.2 PN结的形成与特性 2.2.1 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 2.2.3 PN结的伏安特性 2.2.4 PN结的电容效应 2.2 PN结的形成与特性 2.2.1 PN结的形成 载流子的扩散和漂移 外加电场作用下载流子的定向（顺 逆电场方 1. / 向）移动 漂移运动 漂移电流 —— / 2. 载流子基于浓度差异和随机热运动速度的移 —— / 动 扩散 扩散电流 模拟电子技术基础 PN结的形成过程 PN结合 因多子浓度差 多子的扩散 P型半导体 N型半导体 － － － － + + + + － － － － + + + + － － － － + + + + 多子扩散电流 有缘学习更多+谓ygd3076或关注桃报：奉献教育（店铺） PN结合 因多子浓度差 多子的扩散 空间电荷区 形成内电场 阻止多子扩散，促使少子漂移 内电场E P型半导体 空间电荷区 N型半导体 － － － －