光电子技术课件：5_3 电光调制.ppt

牴獠ㄔ诮橹手械拇ス媛墒艿浇橹收凵渎史植嫉闹圃迹凵渎实姆植加钟肫浣榈绯Ａ棵芮邢喙亍＞逭凵渎士捎檬┘拥绯的幂级数表示，即 §5.3 电光调制 式中，γ和 h 为常量，n0为未加电场时的折射率。在式中， γE 是一次项，由该项引起的折射率变化，称为线性电光效应或泡克耳斯(Pockels)效应；由二次项γE2引起的折射率变化，称为二次电光效应或克尔（Kerr）效应。对于大多数电光晶体材料，一次效应要比二次效应显著，可略去二次项。 或 对电光效应的分析和描述有两种方法：一种是电磁理论方法，但数学推导相当繁复；另一种是用几何图形───折射率椭球体(又称光率体)的方法，这种方法直观、方便，故通常都采用这种方法。 1. 电致折射率变化 在晶体未加外电场时，主轴坐标系中，折射率椭球： 式中，x，y，z为介质的主轴方向，也就是说在晶体内沿着这些方向的电位移D和电场强度E是互相平行的；nx，ny，nz为折射率椭球的主折射率。 当晶体施加电场后，其折射率椭球就发生摫湫螖，椭球方程变为如下形式： 式中，γij称为线性电光系数；i取值1，叄?；j取值1，2，3。上式可以用张量的矩阵形式表式为： 由于外电场的作用，折射率椭球各系数随之发生线性变化，其变化量可定义为 = . 式中， 是电场沿 方向的分量。 具有 元素的矩阵称为电光张量，每个元素的值由具体的晶体决定，它是表征感应极化强弱的量。 KDP（KH2PO4）类晶体属于四方晶系, 42m点群, 是负单轴晶体, 因此有 这类晶体的电光张量为: 且 这一类晶体独立的电光系数只有 两个。 得到晶体加外电场E后的新折射率椭球方程式: 可以看出, 外加电场导致折射率椭球方程中摻徊鏀项的出现, 说明加电场后, 椭球的主轴不再与 x, y, z 轴平行, 因此, 必须找出一个新的坐标系, 使上式在该坐标系中主轴化, 这样才可能确定电场对光传播的影响。为了简单起见, 将外加电场的方向平行于轴 z ，即 , 于是有： 为了寻求一个新的坐标系 (x? y? z?，使椭球方程不含交叉项，即具有如下形式： 式中， x? y? z捨拥绯『笸智蛑髦岬姆较颍ǔ３莆杏χ髦幔? 是新坐标系中的主折射率，由于式中的 x和y是对称的 , 故可将 x 坐标和 y 坐标绕z轴旋转α角，于是从旧坐标系到新坐标系的变换关系为： 代入上式，得： 这就是KDP类晶体沿Z轴加电场之后的新椭球方程，如图所示。其椭球主轴的半长度由下式决定： 令交叉项为零，即 , 则方程式变为 α x y x? y? y x y 450 x 由于γ63 很小（约10-10m/V）,一般是γ63EZ ， 利用微分式 故 得 : 由此可见，KDP晶体沿 Z（主）轴加电场时，由单轴晶变成了双轴晶体，折射率椭球的主轴绕z轴旋转了45o角，此转角与外加电场的大小无关，其折射率变化与电场成正比，上式的△n值称为电致折射率变化。 电光效应如何引起相位延迟。一种是电场方向与通光方向一致, 称为纵向电光效应;另一种是电场与通光方向相垂直, 称为横向电光效应。仍以KDP类晶体为例进行分析, 沿晶体Z轴加电场后，其折射率椭球如图2所示。如果光波沿Z方向传播，则其双折射特性取决于椭球与垂直于Z 轴的平面相交所形成的椭园。令 Z = 0，得到该椭圆的方程为: 2. 电光相位延迟 y nz=ne y 这个椭圆的一个象限如图中的暗影部分所示。它的长、短半轴分别与 x?和 y?重合, x?和 y?也就是两