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最新模电复习要点详解 第一章 半导体二极管 一 . 半导体的基础知识 1. 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 ( 如硅 Si 、锗 Ge) 。 2. 特性 光敏、热敏和掺杂特性。 3. 本征半导体 纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5. 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 。 *N 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 。 6. 杂质半导体的特性 * 载流子的浓度 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 * 体电阻 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 * 转型 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN 结 * PN 结的接触电位差 硅材料约为 0.6~0.8V ，锗材料约为 0.2~0.3V 。 * PN 结的单向导电性 正偏导通，反偏截止。 8. PN 结的伏安特性 二 . 半导体二极管 * 单向导电性 正向导通，反向截止。 * 二极管伏安特性 同ＰＮ结。 * 正向导通压降 硅管 0.6~0.7V ，锗管 0.2~0.3V 。 * 死区电压 硅管 0.5V ，锗管 0.1V 。 3. 分析方法 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 V 阴 ( 正偏 ) ，二极管导通 ( 短路 ); 若 V 阳 V 阴 ( 反偏 ) ，二极管截止 ( 开路 ) 。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q。 2) 等效电路法 直流等效电路法 * 总的解题手段 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 ( 短路 ); 若 V 阳 V 阴( 反偏 ) ，二极管截止 ( 开路 ) 。 * 三种模型 微变等效电路法 三 . 稳压二极管及其稳压电路 * 稳压二极管的特性 正常工作时处在 PN 结的反向击穿区， 所以稳压二极管在电路中要反向连 接。 第一章重点掌握内容： 一、概念 1、 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。 2 、 半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 3 、 本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。 4 、 本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带 正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。 5 、 P 型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成 P 型半导体，使导电能力大大 加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。 6 、 N 型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成 N 型半导体，使导电能力大大 加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。 7 、 PN 结具有单向导电性： P 接正、 N 接负时（称正偏） ，PN 结正向导通， P 接负、 N 接正 时（称反偏） ，PN 结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电 流主要由少子的漂移运动形成的。 8 、 二极管按材料分有硅管 (S 管 )和锗管 (G 管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压 i e 管等。 9 、 二极管由一个 PN 结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大