新型薄膜的太阳能电池.pptVIP

铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳 能电池  c|GS薄膜太阳能电池 这种以铜铟镓硒为吸收层的高效薄膜太阳能电池,简称 为铜铟镓硒电池ClGS电池。其典型结构是: Glass/Mo/ CIGS/ZnS/ ZnO/ZAO/MgF2。(多层膜典型结 构:金属栅减反膜透明电极/窗口层/过渡层光吸收层背 电极玻璃)cGS薄膜电池组成可表示成cu(1 xGax)Se2的形式,具有黄铜矿相结构,是 CuIn Se2和 CuGase2的混晶半导体。  C|GS电池的发展历史及研究现状 70年代B础实验室 Shaly等人系统研究了三元黄铜矿半导体材料c|s的生长机理、电学 性质及在光电探测方面的应用 1974年, Wagner利用单晶CS研制出高效太阳能电池制备困难制约了单晶c|s电池发 展 ·1976年, Kazmerski等制备出了世界上第一个c|S多晶薄膜太阳能电池 80年代初, Boeing公司研发出转换效率高达94%的高效cs薄膜电池 80年代期间,ARcO公司开发出两步(金属预置层后硒化)工艺,方法是先溅射沉积Cu n层,然后再在H2Se中退火反应生成cs薄膜,转换效率也超过10% ·1994年,瑞典皇家工学院报道了面积为04cm2效率高达176%的cs太阳能电池 90年代后期,美国可再生能源实验室(NREL)一直保持着c|S电池的最高效率记录,并 1999年,将Ga代替部分ln的c|GS太阳能电池的效率达到了18.8%,2008年更提高到 199% IG S 薄膜太阳 電混云奇 因家实验军 能电池发 展的历程 学  太阳能电池的分类 按硅基太阳能电池主要 GaAs cds cIGs 制备材料的不同 多元化合物薄膜 太阳能电池 有机聚合物太阳 目前,综合性能最好 的薄膜太阳能电池 能电池 纳米晶太阳能电池  为何太阳能电池中使用 CdTe、 Culn Se2(C|s) 多晶硅膜可得到高效太阳能电池 (ⅡⅥ族系列半导体的特征) +光吸收系数非常大a:10%m 的100倍 ②禁带宽度适合吸收太阳光 与 CuGase2、 CuIns2固溶 光Eg:1.1~1.5eV  C|Gs的晶体结构 CuIn Se2复式晶 格:a=0.577,c=1.154 直接带隙半导体,其光吸收系数高 达105量级 禁带宽度在室温时是1.04eV,电子 迁移率和空穴迁移率分 32X102(cm2/V.s)和 “d110(cm2N 通过掺入适量的Ga以替代部分ln 形成 CuIn Se2和 CuGaSe2的固熔晶 体 Ga的掺入会改变晶体的晶格常数, 改变了原子之间的作用力最终实现 了材料禁带宽度的改变,在1.04 CuIn Se2黄铜矿晶格结构 1.7eV范围内可以根据设计调整, 以达到最高的转化效率 自室温至810℃保持稳定相,使制膜 工艺简单,可操作性强  CGS的电尝性质及主要缺陷 为p型,也可能为n型。n型材料在较高Se蒸 气压下退火变为p型传导;相反,p型材料在较 低Se蒸气压下退火则变为n型 Defect Energy posit ion VCr Ev +0.0 ev Shallow accent no Ec-0,25 ev Compensating don EytO2y ev RecomBination wnter t° cs中存在上述的本征缺陷 影响薄膜的电学性质Ga的 1)当cm1时,不论S0/0+l之比大于还是小于1,薄膜的导电掺入影响很小 类型都为p型,而且具有低的电阻率载流子浓度为1016-10°cm3,但是当Se/(u 十In)1时,发现有CuSe存在 2)当o/In1,若Se/(u+In)1时,则薄腿为p型,具有中等的电阻 率,或薄膜为n型,只有高的电阻率。若So/(Cu+1m)1,则薄膿为p型,具 有高的电阻率,或薄膿为n型,具有低的电阻率。其中当cu/In1且se/(C 时的高阻p型薄膜已在实验中获得了高效电池(10)  C|GS的光学性质及带隙 ·CIS材料是直接带隙材料,Cu(In,Ga,Al)Se2,其带隙在 1.02eV-2.7eV范围变化,覆盖了可见太阳光谱 In/Ga比的调整可使CIGS材料的带隙范围覆盖 足下列公式其中,b值的大小为0.15-0.24g 1.0一-1.7eV,CIGs其带隙值随Ga含量x变化满 E,(x)=(1-x)E Eoucger-bx(1-x) clGs的性能不是Ga越多性能越好的,因为短路电流是随 着Ga的增加对长波的吸收减小而减小的。 Latke consant ·当x=Ga/(Ga+n)0.3时,随