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集成电路制造工艺概述 目录 TOC \o "1-3" \h \z \u 集成电路制造工艺概述 1 一、 集成电路制造工艺的概念 1 二、 集成电路制造的发展历程 1 三、 集成电路制造工艺的流程 2 1.晶圆制造 2 1.1晶体生长(Crystal Growth) 2 1.2切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 2 1.3包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 2 2.沉积 3 2.1外延沉积 (Epitaxial Deposition) 3 2、2化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition) 3 2、3物理气相沉积?(Physical Vapor Deposition) 3 3.光刻(Photolithography) 3 4.刻蚀(Etching) 4 5.离子注入 (Ion Implantation) 4 6.热处理（Thermal Processing） 4 7.化学机械研磨（CMP） 4 8.晶圆检测（Wafer Metrology） 5 9.晶圆检查Wafer Inspection (Particles) 5 10.晶圆探针测试（Wafer Probe Test） 5 11.封装（Assembly & Packaging） 6 12.成品检测（Final Test） 6 四、 集成电路制造工艺的前景 6 五、 小结 6 参考文献 7 集成电路制造工艺概述 电子信息学院 电子3121班 摘要：集成电路对于我们工科学生来说并不陌生，我们与它打交道的机会数不胜数。计算机、电视机、手机、网站、取款机等等。集成电路在体积、重量、耗电、寿命、可靠性及电性能方面远远优于晶体管元件组成的电路，在当今这信息化的社会中集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础，目前为止已广泛应用于电子设备、仪器仪表及电视机、录像机等电子设备中。 关键词：集成电路、制造工艺 集成电路制造工艺的概念 集成电路制造工艺是把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。 集成电路制造的发展历程 早在1952年，英国的杜默 (Geoffrey W. A. Dummer) 就提出集成电路的构想。1906年，第一个电子管诞生；1912年前后，电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展；1918年前后，逐步发现了半导体材料；1920年，发现半导体材料所具有的光敏特性；1932年前后，运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象；1956年，硅台面晶体管问世；1960年12月，世界上第一块硅集成电路制造成功；1966年，美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路。1988年，16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段。1997年，300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺，奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼，发展速度让人惊叹。2009年，intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。集成电路制作工艺的日益成熟和各集成电路厂商的不断竞争，使集成电路发挥了它更大的功能，更好的服务于社会。由此集成电路从产生到成熟大致经历了“电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路”的过程。 集成电路制造工艺的流程 1.晶圆制造 1.1晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多 晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 1.2切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切