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化学气相沉积 SiC 张晓东 化学气相沉积 化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质程，与之相对的是物理气相沉积（PVD）。 化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。 化学气相沉积的应用 化学气相沉积制备SiC 化学气相沉积制备SiC 化学气相沉积制备SiC * * 201303038 化学气相沉积示意 真空感应化学气相沉积炉 化学气相沉积设备 化学气象沉积涂覆 人造钻石-化学气象沉积技术 化学气象沉积在材料防腐应用 化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。 SiC陶瓷由于具有优良的力学性能、耐高温特性和半导体性能等，因而在高温结构材料和电子材料方面得到了广泛的应用．化学气相沉积(CVD)技术可以在较低的温度下制备出陶瓷材料，用此技术可生成SiC外延膜、均匀致密的多晶厚膜、超微粉末以及晶须等．因而CVD SiC材料在很多领域比如涂层(薄膜)材料、航空航天结构材料、微电子领域、核能储备材料等方面具有广阔的应用前景。 SiC应用 直径SiC单晶研究 SiC涂层石墨制品 SiC肖特基二极管 2008-2009年SiC年度市场分析 SiC制备 CVD设备系统示意图 所用的沉积炉为石墨发热体加热的热壁竖式真空反应炉，用MTS(CH3SiCl3)为先驱体原料，H2用作载气，通过鼓泡的方式将MTS带入反应室中，Ar作稀释及保护气体，CVD设备系统示意图如图所示。实验中沉 积基体为石墨，温度为1100℃，H2流量为300mL/min，Ar流量为200mL/min，沉积时炉压控制在3-5kPa． SiC形貌及XRD图谱分析 1100℃负压条件下制备的SiC涂层表面形貌照片，SiC多晶体生长得非常完整，涂层颗粒呈现出菱柱状的外形特征，晶体的择优取向面是(111)。 涂层全部由立方结构的β-SiC组成；（111)晶面的衍射峰强度非常高，为择优取向面；另外，衍射图谱上还有(200)、(220)、(311)及(222)面的衍射峰。 SiC涂层表面形貌 SiC涂层XRD图谱 2008-2009年SiC年度市场分析 *