电工电子技术 晶体管的结构与特性曲线 晶体管的结构与特性曲线.pptxVIP

第5章 常用半导体器件 晶体管的结构与特性曲线 5.2 晶体管 晶体管的结构与特性曲线 晶体管的主要参数 1 晶体管的结构 晶体管由掺杂半导体三层半导体按一定的方式构成两个PN结，并分别从各自掺杂半导体上引出三个电极，最后将它们用金属或塑料封装而成。 晶体管的外形图 5.2 晶体管 晶体管的结构与特性曲线 晶体管的主要参数 晶体管根据三块掺杂半导体组合方式的不同，可分为NPN型和PNP型两种类型。目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型，其中硅管的使用率远大于锗管。图（a）、（b）分别为NPN与PNP晶体管的结构示意图。 5.2 晶体管 晶体管的结构与特性曲线 晶体管的主要参数 2 电流放大作用 由实验证明，晶体管在满足发射结加正向电压（称正向偏置），集电结加反向电压（称反向偏置）时，具有电流放大作用。 把晶体管VT接成两个回路，基极与发射极的回路，称输入回路；集电极与发射极的回路，称输出回路。由于发射极是公共端，这种接法称为共发射极接法。 当改变RB时，就可测得基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE的大小变化，它们的方向如图所示。多次测量的数据，如表所示。 5.2 晶体管 晶体管的结构与特性曲线 晶体管的主要参数 电 流 实 验 次 数 1 2 3 4 6 6 IB/μA 0 10 20 30 40 60 IC/mA ≈0 0.66 1.14 1.74 2.33 2.91 IE/mA ≈0 0.67 1.16 1.77 2.37 2.96 晶体管电流放大实验测试数据 5.2 晶体管 晶体管的结构与特性曲线 晶体管的主要参数 3 特性曲线 晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极的电压和电流之间相互关系的，它反映了三极管的性能，是分析放大电路的重要依据。 （1）输入特性曲线 输入特性曲线是指当集–射极电压UCE为常数时，输入电路中基极电流IB与基–射极电压UBE之间的关系。图所示为3DG6的输入特性曲线。 5.2 晶体管 晶体管的结构与特性曲线 晶体管的主要参数 （2）输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时，输出回路中集电极电流IC与集–射极电压UCE之间的关系曲线。 根据晶体管工作状态不同，可把输出特性曲线分为三个区。 ①截止区 由于IB =0，故IC=βIB=0，失去了电流放大作用。 ②饱和区 无电流放大作用。 ③放大区 在放大区中有IC=βIB，即IC受IB的控制，具有电流放大作用。