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第五讲：AT89C51单片机存储器结构一、半导体存储器二、存储器空间划分方法三、数据存储器(RAM)四、程序存储器(ROM)五、MCS-51片外总线构 一、半导体存储器〈一〉功能：存放程序和数据。〈二〉结构：由若干存储单元组成。每个存储单元存放若干位（4、8、16或32）二进制数(由字长决定)。如图所示。 为区分各个存储单元，每个单元赋以一个二进制代码称为存储器的存储单元地址，简称为地址。由于当单元数较多时，二进制位数较长，不便于读、写、记，所以地址一般用十六进制表示。 地址位数与存储单元数之间的关系：设有2N个存储单元，则一定有N位地址。如有4=22个单元需两位地址，00B、01B、10B、11B。反之亦然。位存储器结构示意图：n┇210D7D0 存储单元〈三〉分类（按存方式分）1、随机存取存储器RAM（Radom Access Memory） 可读可写，存取速度快，但掉电信息丢失。常用于存放需要暂时保存的数据，因此也叫数据存储器。又可分为动态RAM、静态RAM两种类型。2、只读存储器ROM（Read Only Memory） 只读不写，掉电后信息不丢失。常用于存放需要长期保存的程序，因此也叫程序存储器。又可分为以下几种类型。（1）掩膜ROM：由生产厂家在制作时用掩膜板将程序和数据写入，用户只能使用不能对其进行修改。适用于大批量生产的定型产品。（2）PROM：可一次编程的只读存储器。它允许用户把程序和数据写入内部，但只允许写入一次。（3）EPROM：紫外线擦除的只读存储器。（4）EEPROM（E2PROM）：电信号擦除的只读存储器。（5）Flash ROM：闪速存储器。〈四〉主要技术指标1、存储容量：越大越好 存储容量=字数×位数= 2N × n 字数：决定地址线数（有2N个字一定有N根地址线） 位数：决定数据线数（有n位一定有n根数据线） 如：若容量=32K×8，则一定有15根地址线，8根数据线。2、存取时间：越短越好3、可靠性：越稳定越好4、性价比：越高越好二、存储空间器配置方法〈一〉计算机的两种不同结构 一般微机：普林斯顿结构，将程序和数据存于同一空间。采用分段（CS、DS、SS、ES）形式存放。也叫冯?若依曼结构。 AT89系列单片机：哈佛结构，分为程序存储器（ROM）和数据存储器（RAM），将程序和数据分别存放。 〈二〉、AT89C51存储器结构（见23页图2-7）1、从物理上看有四个空间：片内ROM、片外ROM、片内RAM、片外RAM。2、从用户角度，即逻辑上看有三个空间：片内外统一编址的64KBROM（0000H~0FFFFH）、片内256B的RAM（00H~0FFH）、片外64KB的RAM（0000H~0FFFFH） 。 分别用MOVC、MOV、MOVX 三个不同的指令来访问这三个不同的空间。因此，三个空间地址可重叠。FFFFHFFFFH外部1000H外部FFH 专用寄存器0FFFH80H 外部 内部7FH内部EA=0=1EA0000HRAM00H0000H(a)(b)图2-7 AT89C51存储器结构图(a) 程序存储器地址分配；(b) 数据存储器地址分配三、数据存储器（RAM）作用：用于存放数据，运算的中间结果，待调试的程序等等。断电信息丢失。地址分配：RAM在物理和逻辑上都分为两个地址空间。一个是片内256BRAM；另一个是片外最大可扩充64KBRAM。为了区分片内、片外RAM，MCS-51采用不同的指令访问。访问片内RAM使用MOV指令，访问片外RAM使用MOVX指令（访问ROM使用MOVC指令）。因此，片内、外RAM，片内、外ROM地址空间可重叠。 片内RAM在物理上又可分为两个区00H~7FH（0~127）单元组成低128B的片内RAM区。又可分为：工作寄存器区（00H~1FH），4组共32个单元，每组8个工作寄存器R0~R7。由PSW中的RS1、RS0进行选择。位寻址区（20H~2FH），共16个字节128位，既可字节寻址，也可位寻址。便签区（30H~7FH）共80个单元为用户RAM区，用于存放数据或作堆栈区使用。80H~0FFH（128~256）单元组成高128B的片内RAM区对52子系列，作一般的RAM区使用对51子系列，称为专用寄存器（SFR）区（见图2-3）7FH?30H2FH7F7E7D7C7B7A7978?2EH7776757473727170?2DH6F6E6D6C6B6A6968?2CH6766656463626160?2BH5F5E5D5C5B5A5958?2AH5756555453525150?29H4F4E4D4C4B4A4948?28H4746454443424140位寻址区27H3F3E3D3C3B3A3938?26H373635343332313025H2F2E2D