半导体物理综合练习题参考答案.docxVIP

1、晶格常数 2.5? 的一维晶格，当外加 10 2V/m 和 107 V/m 电场时 ,试分别计算电子自能带底运动到能带 顶 所 需 时 间 。 （ 1 ? = 1 0 n m = 1 0 -1 0 m ） 2、指出下图中各表示的是什么半导体 ? 3、如图所示，解释一下 n0 ~T 关系曲线。 ４、若费米能 EF=5eV，利用费米分布函数计算在什么温度下电子占据 E=5.5eV 能级的概率为１％。并 计算在该温度下电子分布概率 0.9~0.1 所对应的能量区间。 ５、两块 n 型硅材料 ,在某一温度 T 时，第一块与第二块的电子密度之比为 n 1/n 2 =e（e 是自然对数的 底） （１）如果第一块材料的费米能级在导带底之下３ k0 T，试求出第二块材料中费米能级的位置； （２）求出两块材料中空穴密度之比 p 1/p 2 。 6、硼的密度分别为 NA1和 NA2(N A1N A2)的两个硅样品，在室温条件下 : （１）哪个样品的少子密度低 ? （２）哪个样品的 EF 离价带顶近 ? （３）如果再掺入少量的磷 ( 磷的密度 N`D NA2)，它们的 EF 如何变化 ? 7、现有三块半导体硅材料，已知在室温下 (３００ K) 它们的空穴浓度分别为 16 -3 、 p 01=2.25 × 10cm p02 =1.5