S3C2440对NandFlash的基本操作.pptxVIP

S3C2440 对 Nand Flash 操作和电路原理 ——K9F2G08U0A;;要实现用 8 个 IO 口来要访问这么大的容量，如图 4 所示：K9F2G08U0A 规定了用 5 个周期来实现。第一个周期 访问的地址为A0~A7；第二个周期访问的地址为 A8~A11，它作用在 IO0~IO3 上，而此时IO4~IO7 必须为低电平；第 三个周期访问的地址为 A12~A19；第四个周期访问的地址为A20~A27；第五个周期访问的地址为 A28，它作用在 IO0 上，而此时IO1~IO7 必须为低电平。前两个周期传输的是列地址，后三个周期传输的是行地址。通过分析可知，列地址 是用于寻址页内空间，行地址用于寻址页，如果要直接访问块，则需要从地址 A18 开始。由于所有的命令、地址和数据 全部从 8 位IO 口传输，所以 Nand flash 定义了一个命令集来完成各种操作。有的操作只需要一个命令（即一个周期） 即可，而有的操作则需要两个命令（即两个周期）来实现。K9F2G08U0A 的命令说明如图 5 所示：;#define CMD_RANDOMREAD2;;#define NF_CLEAR_RB() {rNFSTAT |= (12); } //清除 RnB 信号 #define NF_DETECT_RB() {while(!(rNFSTAT(12)));} //等待 RnB 信号变高，即不忙 NFCMMD，NFADDR 和 NFDATA 分别用于传输命令，地址和数据，为了方便起见，我们可以定义一些宏定义用于完成 上述操作：;NF_DETECT_RB();;;//读取一页数据内容;//判断该块是否为坏块;{ NF_WRDATA8(ECCBuf[i]); };NF_ADDR((block_number 6) 0xff); NF_ADDR((block_number 2) 0xff); NF_ADDR((block_number 10) 0xff);;NF_ADDR((page_number 16) 0xff); //行地址 A28;return 0x44;