原创力文档- 60
- 0
- 约2.74千字
- 约 8页
- 2020-10-15 发布于天津
- 举报
微电子工艺实验作者日期微电子工艺实验仿真流程建立仿真网格并显示图形化结果均匀网格非均匀网格世息日口戈呼硼离子的注入剂量为立方厘米离子能量为欲淀积时间为分钟温度为摄氏度请完成下面的实例并在每条命令后面注释说明并分析模拟结果启动工艺仿真器硼的简单热退火工艺横向网格定义横向的范围为空间密度为纵向丫网格定义纵向丫的范围为空间密度为仿真初始化衬底定义硅衬底含磷浓度每立方厘米硼离子注入八每退火工艺提取处的结深标绘出极显示当前结构保存结构到文件结构文件以为后缀名退出仿真器分析模拟结果如图所示横轴表示纵向的深度
微电子工艺实验
作者:
日期:
微电子工艺实验
、Athena仿真流程 ——建立仿真网格，并显示图形化结果 1）均匀网格
line x loc = 0.0 spac in g=0.1
line x loc = 0.1 spac in g=0.1
line y loc = 0 spaci ng = 0.20
line y loc = 2.0 spac ing = 0.20
2）非均匀网格
line x loc = 0.0 spac in g=0.02 line x loc = 1 spaci ng=0.1 line y loc = 0 spaci ng = 0.02 line y loc =
文档评论（0）