第四章微电子封装基板技术(1).pptVIP

流延法根据不同的使用要求，可按以下三条工艺路线制取不同类型的基板。 (1) 叠片—热压—脱脂—基片烧成—形成电路图形—电路烧成，在烧成的基片上可以用厚膜法或薄膜法形成电路。 由于基片烧成和电路烧成分别进行，工艺参数选择灵活，导体可以采用熔点较低的贵金属，对烧结气氛无特殊要求。一般的LSI封装和混合集成电路多采用这种陶瓷基板。 (2) 叠片—印刷电路图形—热压—脱脂—共烧， 由于采用陶瓷基板和电路图形共烧工艺，当陶瓷烧成较高的温度时，导体材料只能选用熔点高的难容金属；为了防止其氧化，需要在氮气等保护性气氛和氢等还原性气氛中烧成。一般说来，烧成金属的电阻率也较高。 (3)印刷电路图形—叠层—热压—脱脂—共烧， 用以制作多层共烧基板，共烧条件与(2) 相同。这是目前多层陶瓷基板的主要制作方法之一。 3.1概论 3.2按封装材料、封装器件、封装结构分类 3.2.1金属封装(M) 3.2.2塑料封装(P) 3.2.3陶瓷封装 (C) 3.3按封装的外形、尺寸、结构分类 4.1 概论 4.2 基板分类 4.3 有机基板 4.4 陶瓷基板 4.5 低温共烧陶瓷基板