电子技术基础习题答案解析[借鉴].pdfVIP

WORD 格式整理 第1 章 检测题 （共100 分，120 分钟） 一、填空题：（每空0.5 分，共25 分） 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自 由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量 的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质 离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外 引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。 3、PN 结正向偏置 ，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN 结反向偏置 ，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有 利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。 4、PN 结形成的过程中，P 型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N 型半导体中的多数载 流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区 指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散 起削弱作用，对少子的 漂移 起增强作用，当这 两种运动达到动态平衡 ， PN 结 形成。 5、检测二极管极性 ，需用万用表欧姆挡的 R×1K 档位，当检测 表针偏转度较大 ，与红表棒相接 触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏 ，两表棒位置调 换前后万用表指针偏转都很大 ，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小 ，说明该二极管已经 绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为 场效应（MOS） 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。 8、MOS 管在不使用时应避免 栅 极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题 1 分，共10 分） 1、P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P 型半导体呈负电性。 （错） 2、自由电子载流子填补空穴的“ 复合”运动产生空穴载流子。 （对） 3、用万用表测试晶体管 ，选择欧姆档R×10K 档位。 （错） 4、PN 结正向偏置 ，其内外电场方向一致。（PN 结反向偏置 ，其内外电场方向一致） （错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。 （对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM ，该管必被击穿。 （错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 （错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （错） 三、选择题 ：（每小题 2 分，共20 分） 1、单极型半导体器件是（ C ）。 A 、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A 、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 专业知识分享 WORD 格式整理