第四章掺杂PPT课件.pptVIP

N(x)/Nmax 0.5 0. 1 0.01 0.001 X-RＰ ?1.18 ΔＲP ?2.14 ΔＲP ?3.04 ΔＲP ?3.72 ΔＲP N离子浓度 RＰ Δ ＲP 离子束 x y Nmax 离子浓度分布 * 4.2.2横向效应 和横向杂质扩散一样，离子注入在垂直入射方向的平面内也会有扩展。 掩膜窗口宽度为2A（原点在窗口中心），在掩膜边缘±Ａ处的浓度是中心浓度的50％， 在距离大于 ＋A和小于 －Ａ处的浓度按余误差下降。 * 4.2.3晶格损伤 入射离子通过碰撞把能量传递给靶原子，被碰原子离开晶格位置进入间隙，成为间隙原子并留下一个空位——形成“间隙-空位”缺陷对。 移位原子的“级联碰撞”引起一系列的位移，产生大量的空位和间隙原子，形成晶格损伤。 晶格损伤与入射离子的能量、质量、剂量率、靶温及靶材料有关。 * * 4.2.4热退火 机理: 注入技术掺杂的晶片，必须消除晶格损伤，并使注入的杂质进入替代位置以实现电激活。 在一定的温度和时间进行热处理可以消除损伤、激活杂质、少子寿命和迁移率恢复。 高温加大了原子的热运动能量，可化解复杂的损伤,使空位-间隙原子产生复合进而缺陷消失；对于非晶形式的损伤，界面发生重新结晶，即由单晶区向非晶区通过固相外延再生长而使整个非晶区得到恢复。 * 激活杂质所需的温度比起少子寿命和迁移率恢复所需