第2章微机内存及扩展PPT课件.ppt

2014/06 EPROM 芯片型号有： 2716(2K×8)\2732(4K×8)\2764(8K×8)\7128(16K×8)等,可与相同容量的SRAM引脚兼容。 2764A功能框图 * 2014/06 2、EEPROM(E2PROM)：电擦除可编程只读存储器 用专门的擦除器擦除，可在线擦除和编程、 写入过程中自动擦除并写入，但擦除时间约10ms。 高压（+21V）编程2816、2817： 读取时间为120～150ns，字节擦和写时间约10ms左右，需用程序延时。 * 2014/06 1）并行E2PROM 2816是容量2K×8的电擦除PROM，芯片的管脚与2716一致，只是在管脚的定义上，数据线管脚对2816来说是双向的，以适应读写工作模式。 ① 读方式，地址信号与OE信号有效 ② 写方式：2816具有以字节为单位的擦写功能，擦除和写入都是写。 ③ 片擦除方式：在2816需整片擦除时，也可按字节擦除方式将整片2KB逐个进行，引脚电压达到9~15V，约10ms后整片内容全部被擦除，即2KB的内容全为FFH。 ④ 备用方式：当2816的端加上TTL高电平时，芯片处于备用状态。 * 2014/06 2）串行E2PROM 串行E2PROM芯片有PHILIPS公司的24C01/02/04、NS公司的93C46/56/66等。 E2PROM 24C01/02/04 ①引脚说明。 SCL：串行时钟信号，用于对输入和输出数据的同步。 SDA：串行数据输入/输出线。 WP：写保护。 A0，A1，A2：片选地址输入。 ②总线特性。 ③字节写操作。 ④ 读操作 * 2014/06 闪速存储器（Flash Memory） 采用非挥发性存储技术，能够在线擦除重写，写入速度已达ns级，类似于RAM，掉电后信息可保持10年。 典型的闪存芯片:29C256(32K×8)\29C512(64K×8) \29C101(128K×8) \29C020(256K×8) 按区块或页面组织 可进行快速页面写入 CPU可以将页数据按芯片存取速度（一般为几十到200ns）写入页缓存，大大加快了编程速度。 §2.2.5 新一代可编程只读存储器FLASH * 2014/06 2.3 内存扩展技术 §2.3.1 内存扩展方式 存储器的扩展技术： 三种方式 位扩展 字扩展 字位全扩展 * 2014/06 字扩展就是存储单元数的扩展，数据宽度不变。 字扩展的连接方法: ① 存储器芯片的地址线、 数据线均并联。 ② 片选信号线是各自独 立被选中的。 1、字扩展：4K*8bit 8K*8bit A12 A13 * 2014/06 位扩展的连接方法： ① 存储芯片的地址线和片选线均并联。 ② 数据线按数据位的高低顺序连到数据总线上。 2、位扩展：2K*8bit 2K*16bit * 2014/06 3、字位全扩展 如果存储器的字数和位数都不能满足需要，就要进行字和位的全扩展，字位全扩展是由字扩展电路和位扩展电路组合而成。6116 （2Kx8） * 2014/06 1、连接时应注意的问题 CPU对存储器进行读写操作，首先要由地址总线给出地址信号，然后发出读写控制信号，最后才能在数据总线上进行数据的读写。 1）CPU总线的带负载能力。 2）CPU时序与存储器存取速度之间的配合。 3）存储器组织、地址分配。 §2.3.2 内存与CPU连接技术 4）读\写、数据、地址片选等控制信号的连接 * 2014/06 存储器都是挂在总线上的，并由系统分配唯一的地址，地址信息经过地址译码电路产生一个选通信号片选），选中某一片存储器，对该存储器进行读写操作。 当CPU访问存储器时，出现在地址总线（AB）上的地址信号可划分为两部分，直接与存储器连接的地址线可称为片内地址线，其所用N根,容量等于2N；其中N为片内地址线的根数；剩余的地址线称为片外地址线，常可做为存储芯片的片选地址线或译码电路的输入地址线。 2、存储器芯片片选信号的产生 * 2014/06 1）地址译码方式 三种方式 线选译码方式 译码器方式 部分译码器方式 全译码器方式 线选译码方式：利用片外地址线或其他直接与存储器芯片片选引脚线连接，方法简单，不需附加译码电路，适用于存储芯片较少，而且片外地址线充足的系统。 注意：若有多条片选线时，在CPU访问存储器期间只能有一根处于有效状态，不允许出现多条片选线同时有效的现象。 * 2014/06 A10 A11-A