MOS管的开关特性（1）.pdf

《数字逻辑》难点辅导 1/4 MOS 管的开关特性 MOS 管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压 uGS 控制其工作 状态的，是一种具有放大特性的由电压 uGS 控制的开关元件。 一、 静态特性 （一）结构示意图、符号、漏极特性和转移特性 1． 结构示意图和符号 从图 2.1.12(a)所示结构示意图中可以看出，MOS 管是由金属-氧化物-半导体 （Metal-Ox-ide-Semiconductor）构成的。在 P 型衬底上，利用光刻、扩散等方 法，制作出两个 N+型区，并引出电极，分别叫做源极 S 和漏极 D，同时在源极和 漏极之间的二氧化硅 SiO2 绝缘层上，制作一个金属电极栅极 G，这样得到的便是 N 沟道 MOS 管。 2． 漏极特性 反映漏极电流 iD 和漏极-源极间电压 uDS 之间关系的曲线族叫做漏极特性曲线， 简称为漏极特性，也就是表示函数 iD=f(uDS)|uGS 的几何图形，如图 2.1.13 （a）所示。 当 uGS 为零或很小时，由于漏极 D 和源极 S 之间是两个背靠背的 PN 结，即使在漏 极加上正电压（uDS0V），MOS 管中也不会有电流，也即管子处在截止状态。 当 uGS 大于开启电压 UTN 时，MOS 管就导通了。因为在 UGS=UTN （图2.1.13 中 UTN=2V）时，栅极和衬底之间产生的电场已增加到足够强的程度，把P 型衬底中 的电子吸引到交界面处，形成的N 型层——反型层，把两个 N+区连接起来，也即 沟通了漏极和源极。所以，称此管为 N 沟道增强型 MOS 管。 可变电阻区：当uGSUTN 后，在 uDS 比较小时，iD 与 uDS 成近似线性关系，因此 可把漏极和源极之间看成是一个可由 uGS 进行控制的电阻，uGS 越大，曲线越陡， 等效电阻越小，如图 2.1.13 （a）所示。 恒流区 (饱和区)：当uGSUTN 后，在 uDS 比较大时，iD 仅决定于 uGS （饱和）， 而与 uDS 几乎无关，特性曲线近似水平线，D、S 之间可以看成为一个受 uGS 控制 的电流源。 在数字电路中，MOS 管不是工作在截止区，就是工作在可变电阻区，恒流区只是 一种瞬间即逝的过度状态。 3． 转移特性 1 《数字逻辑》难点辅导 2/4 反映漏极电流 iD和栅源电压uGS关系的曲线叫做转移特性曲线，简称为转移特性， 也就是表示函数 iD=f(uGS)|uDS 的几何图形，如图 2.1.13 （b ）所示。 当 uGSUTN 时，MOS 管是截止的。当 uGSUTN 之后，只要在恒流区，转移特性曲 线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS 对 iD 的控制作用越强，也即放 大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导 gm 来表示，即 4． P 沟道增强型 MOS 管 上面讲的是Ｎ沟道增强型ＭＯＳ管。对于Ｐ沟道增强型ＭＯＳ管，无论是结构、 符 号，还是特性曲线，与Ｎ沟道增强型ＭＯＳ管都有着明显的对偶关系。其衬底是 Ｎ型硅，漏极和源极是两个Ｐ+区，而且它的uGS、uDS 极性都是负的，开启电压 ＵTP 也是负值。Ｐ沟道增强型ＭＯＳ管的结构、符号、漏极特性和转移特性如图 ２. １. １４所示。 （二）MOS 管的开关作用 １． 开关应用举例 2 《数字逻辑》难点辅导 3/4 如图２. １. １５所示，是一个最简单的ＭＯＳ管开关电路，输入电压是u1，输 出电压是uO。当u1 较小时，ＭＯＳ管是截止的，uO=UOH=VDD；当u1 较大时，Ｍ ＯＳ管是导通的， ，由于RONRD，所以输出为低电平，即uO=UOL。 ２． 静态开关特性 （１）截止条件和截止时的特点 ① 截止条件：当ＭＯＳ管栅源电压 uGS 小于其开启电压ＵTN 时， 将处于截止状态，因为漏极和源极之间还未形成导电沟道，其等效电路如图２. １. １５（b）所示。 ②截止时的特点：iD=0，ＭＯＳ管