gan基led发光原理及参数.pdfVIP

2.1 GaN 基 LED 发光原理 大部分 LED 是利用 MOCVD 在衬底材料上异质外延而成，目前比较成熟的 衬底材料是蓝宝石和碳化硅，硅基和 ZnO 基等其他衬底材料尚未成熟。LED 外 延片的结构主要包括 MIS 结、P-N 结、双异质结和量子阱几种，当前绝大多数LED 均是量子阱结构的。外延片的基本结构如图 1-2 所示。 目前使用的大部分灯具是白炽钨丝灯或者采取气体放电，而半导体发光二 极管(LED)的发光原理则迥然不同。发光二极管自发性(Spontaneous)的发光是由 于电子与空穴的复合而产生的。 假设发光是在 P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光， 或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电 子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合， 每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比 例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在近 PN 结面数μm 以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg 有 关，即 λ=1240/Eg 　　电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度 Eg ， 单位为电子伏特（eV 。由光的量子性可知，hf= Eg [h 为普朗克常量,f 为频率， 据 f=c/ λ,可得λ=hc/Eg, 当λ的单位用um, Eg 单位用电子伏特（eV ）时，上式为λ =1.24um ·ev/Eg ] ，若若能产生可见光（波长在 380nm 紫光～780nm 红光），半 导体材料的 Eg 应在 3.26～1.63eV 之间 发光效率与材料是否为直接带隙(Direct Bandgap)有关，图 1.1(a)是直接带隙 材料。这些材料的导带最低点与价带的最高点在同一 K 空间。所以电子与空穴 可以有效地再复合(Recombination)而发光。而图 1.1(b) 的材料均属于间接带隙 (IndirectBandgap)，其带隙及导带最低点与价带最高点不在同一K 空间，以致电 子与空穴复合时除了发光外，还需要产生声子(Phonon)的配合，所以发光效率低 [7]。目前发光二极管用的都是直接带隙的材料。 2.2 大功率 LED 基本参数及性能指标 1．极限参数的意义 （1）允许功耗Pm:允许加于 LED 两端正向直流电压与流过它的电流之积的 最大值。超过此值，LED 发热、损坏。 （2 ）最大正向直流电流IFm ：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可 损坏二极管。 （3 ）最大反向电压VRm ：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极 管可能被击穿损坏。 （4 ）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此 温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 2 ．电参数的意义 （1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其 波长大体按图 2 所示。 由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0 的光强最大，该波长为峰值波 长。 （2 ）发光强度IV ：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管 是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr 时， 则发光 1 坎德拉（符号为 cd ）。由于一般LED 的发光二强度小，所以发光强度 常用坎德拉(mcd)作单位。 （3 ）光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图 3 中 1/2 峰值光强所 对应两波长之间隔. （4 ）半值角θ1/2 和视角：θ1/2 是指发光强度值为轴向强度值一半的方向 与发光轴向（法向）的夹角。半值角的 2 倍为视角（或称半功率角）。 图3 给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。法线 AO 的坐 标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的 相对发光强度为 1，离开法线 方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。 （5 ）正向工作电流If ：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实 际使用中应根据需要选择IF 在 0.6 ·IFm 以下。 （6 ） 正向工作电压 VF ： 参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流 下得到的。 一般是在 IF=20mA 时测得的。发光二极管正向工作电压