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实用防护设计方法陆健赵健徐佰新无锡华润矽科微电子有限公司论文摘要本文就芯片设计中口静电放电保护器件设计方法在某一失效模式下端口间防护解决办法及某些特殊内部结构制约整个电路水平的解决办法并介绍了一些新的射频电路保护结构对如何提高芯片整体性能作了一定的实际研究与总结在整体把握电路的水平上给出一点启示引言静电在芯片的制造封装测试和使用过程中无处不在积累的静电荷以几安培或几十安培的电流在纳秒到微秒的时间里释放瞬间功率高达几百千瓦放电能量可达毫焦耳对芯片的摧毁强度极大所以芯片设计中静电保护模块的设计直接关
实用ESD防护设计方法
陆健 赵健 徐佰新 无锡华润矽科微电子有限公司 论文摘要 ：本文就芯片设计中 I/O 口静电放电 （Electrostatic Discharge, ESD） 保护器件设计方法，在某一 ESD失效模式下端口间ESD防护解决办法，及某些特 殊内部结构制约整个电路ESD水平的解决办法；并介绍了一些新的射频电路ESD 保护结构，对如何提高芯片整体ESD性能作了一定的实际研究与总结，在整体把 握电路的 ESD 水平上给出一点启示。
1. 引言
静电在芯片的制造、 封装、测试和使用过程中无处不在， 积累的静电荷以几 安培或几十安培的电流在纳秒到微秒的时间里释放， 瞬间功率高达几百
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