《发光二极管工作原理及应用》.pptVIP

* * “十一五”十大重点节能工程 十大重点节能工程包括：节约和替代石油、燃煤工业锅炉（窑炉）改造、区域热电联产、余热余压利用、电机系统节能、能量系统优化、建筑节能、绿色照明、政府机构节能以及节能监测和技术服务体系建设工程等。 发光二极管工作原理及应用 二极管 单向导电 why? 需要简单了解的东西 半导体 P型半导体 N型半导体 PN结 半导体 —— 导电能力介于导体和绝缘体之间 物质根据其导电能力（电阻率）分 半导体 绝缘体 导体 1. 半导体 最常用的半导体材料 锗 硅 +14 2 8 4 Si 硅原子结构示意图 +32 2 8 18 Ge 锗原子结构示意图 4 原子结构示意图 +4 硅、锗原子的简化模型 平面结构 立体结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 2. 本征半导体 本征半导体就是完全纯净的半导体(提纯的晶体) 本征激发产生电子和空穴 自由电子 空穴 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 载流子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 价电子填补空穴而使空穴移动，形成空穴电流 在外电场作用下 但是本征半导体中的自由电子和空穴的数量极少，所以可以在里面掺入微量杂质（元素），使其导电性能增强。 所以就有了P型半导体和N型半导体 P型半导体（掺入3个价电子元素） 元素周期表 P型半导体简化模型 多数载流子 少数载流子 N型半导体（5价） 元素周期表 多数载流子 电子 少数载流子空穴 N型半导体简化模型 PN结 P型半导体和N型半导体结合面的特殊薄层 * 平衡情况下的PN结 P型区 N型区 内建电场 PN结 (2)随着内电场由弱到强的建立,少子漂移从无到有,逐渐加强,而扩散运动逐渐减弱, 形成平衡的PN结。 (1)多子的扩散运动产生空间电荷区建立内电场 1、PN结(PN Junction)的形成 多子的扩散 多子的扩散 动画演示 * 平衡情况下的PN结 2、内建电位差或内建电压：热平衡情况下，PN结的宽度一定，在PN结两端存在的电压。 P型区 内建电场 PN结 * 1、PN结的正向特性（外加正向电压） P N 内电场 外电场 正向电流IF A、正向偏压的接法：P区接高电位，N区接低电位 B、正向偏压削弱内电场，有利多子的扩散运动，使PN结空间电荷区变窄； C、正向偏压时，PN结为导通状态，外电路电流IF很大，PN结呈现的正向电阻很小 限流电阻 R U PN结为导通状态 动画演示 * D、反向偏压PN结为截止状态，外电路电流接近为O，PN结呈现的反向电阻很大 P N 内电场 反向电流IR A、反向偏压的接法：P区接低电位，N区接高电位 B、反向偏压内电场增强，不利多子扩散运动，有利于少子的漂移运动，形成反向电流IR，IR很小，硅管为纳安数量级，锗管为微安数量级。 限流电阻 R 外电场 U I少子 PN结为截止状态 2、PN结的反向特性（外加反向电压） C、反向偏压，使PN结空间电荷区变宽。 D、反向偏压PN结为截止状态，外电路电流接近为O，PN结呈现的反向电阻很大 二极管 将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为二极管 * 二极管的伏安特性 IF /mA 正向电流 10 40 30 20 0.2 0.6 0.4 1.0 0.8 UF/V UR/V IR/ ? A 反向电流 反向电压 正向电压 IS 击穿电压UBR 外加正向电压很小时，正向电流很小几乎为0，正向电压超过一定数值时，二极管导通，电流增大很快。导通时，二极管两端会产生正向压降，硅管一般是0.6~0.7V，锗管约0.2~0.3V 发光二极管的工作原理 工作原理 半导体发光二极管的结构示意图 P N P-N结 光输出 发光二极管（light emitting diode，LED），是利用正向偏置PN结中电子与空穴的复合辐射发光的，是自发辐射发光。 光的颜色视做成PN结的材料和发光的波长而定，而波长与材料浓度有关。如采用磷砷化镓可以发出红光或黄光；采用磷化镓 则发出绿光 元素周期表 LED应用 1、 指示灯、信号灯 2 、数字显示用显示器 利用LED进行数字显示，有点矩阵型和字段型两种方式。 图2.1.4-1点矩阵型数字显示 图2.1.4-2 字段型数字显示 树脂 反射框 引线框架