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晶体三极管及放大电路练习题 一、填空题 1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即 ______区、 ______区和 ______区。当三 极管工作在 ______区时，关系式 IC=βIB 才成立；当三极管工作在 ______区时， IC=0； 当三极管工作在 ______区时， UCE≈0。 2、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是 ______，______极电位最 低。 3、晶体三极管有两个 PN 结，即 ________和 ________，在放大电路中 ________必须正 偏， ________反偏。 4、晶体三极管反向饱和电流 ICBO随温度升高而 ________，穿透电流 ICEO随温度升高 而________，β值随温度升高而 ________。 5、硅三极管发射结的死区电压约为 ________V，锗三极管发射结的死区电压约为 ________V，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为 ________V，锗三极管发射结的导通电压约为 ________V。 6、输入电压为 20mV，输出电压为 2V，放大电路的电压增益为 ________。 7、多级放大电路的级数愈多则上限频率 fH 越_________。 8 当半导体三极管的 正向偏置， 反向偏置偏置时，三极管具有放 大作用，即 极电流能控制 极电流。 9