《电力电子半导体器件(GTR)》.pptVIP

电力电子半导体器件(GTR);§4.1 GTR结构;二、GTR与普通晶体管区别;三、单管GTR;四、达林顿GTR;特点： ①电流增益β增大： β ≈ β1 β2 ，达几十倍～几千倍； ②饱和压降VCES增大：VCES ≈ VCES1+VBES2 V2管无法饱和导通，VCE2=VCES1 ，反偏状态；导通损耗增大。 ③开关速度慢：开通时，V1驱动V2； 关断时，V1先关断，V2才能关断，且V2关断 无泻流通路。 改进：;五、GTR模块 将GTR管芯、稳定电阻R1R2、加速二极管VD1、续流二极管VD2组成一个单元。将几个单元组合在一个外壳内——模块。 利用集成工艺将上述单元集成于同一硅片上，器件集成度高，小型轻量化，性能/价格比高。;§4.2 GTR特性与参数;2．饱和压降： 如图：GTR深饱和时，等效电路；;TC35-400型GTR：电流50A， β = 5； VCES随IC电流增大而增大；IC不变时，随温度增加而增加。 VBES随IC电流增大而增大；小电流下，随温度增大而减小， PN结负温度系数。大电流下，随温度增大而增大。;TC=250C VCE=400V;4．最大额定值——极限参数 由GTR材料、结构、设计水平、制造工艺决定。 ①最高电压额定值： BVCEO，BVCBO，BVCES，BVCER，BVCEX O：另一极开路；S：短路；R：外接电阻；X：反向偏置；;Va:：IB=0时，IC电流急剧 增加时电压； Vb:：IE=0时，IC电流急剧 增加时电压；;②最大电流额定值： 大电流下，三种物理效应会使GTR电气性能变差，甚至损坏器件。 集电极电流最大额定值ICM： ICM定义：a.以β值下降到额定值1/2到1/3时，对应IC值。 b.以结温和耗散功率为尺度确定ICM。 最大脉冲电流额定值： 直流ICM的1.5～３倍定额；引起内部引线熔断的集电极电流； 引起集电结损坏的集电极电流。 基极电流最大额定值IBM： 内部引线允许流过的最大基极电流，约为（1/2～1/6）ICM;③最高结温TJM 塑封，硅管：1250～1500C； 金属封装，硅管：1500～1750C； 高可靠平面管：1750～2000C； ④最大功耗PCM PCM = VCE? IC 受结温限制，使用时注意散热条件。 例：3DF20型GTR各最大额定值参数：;二、动态特性与参数 动态特性是GTR开关过程的瞬态性能，称开关特性；主要受结电容（势??电容、扩散电容）充、放电和两种载流子运动影响。 如图：TC40U—400型GTR动态特性实验电路和电流波形;1．开通时间ton： ton = td + tr （ns级，很小） td：延迟时间，基极电流向发射结电容充电。大小取决于结 电容大小、驱动电流大小和上升率，及反偏时电压大小。 tr：上升时间，取决于稳定电流和驱动电流大小。 2．关断时间toff： toff = ts + tf ts：存储时间，过剩载流子从体内抽走时间，由反向驱动电 流大小决定。(3～８us) tf：下降时间，取决于结电容、正向集电极电流大小。(1us) 说明：为加速开通，采用过驱动方法，但基区过剩大量载流子， 关断时，载流子耗散严重影响关断时间； 减小关断时间，可选用电流增益小的器件，防止深饱和， 增加反向驱动电流。;3．集电极电压上升率dv/dt对GTR的影响 当GTR用于桥式变换电路时，如图：;三、二次击穿与安全工作区 （一）二次击穿现象 一次击穿电压BVCEO ；发生一次击穿后，电流急剧增大，若外接有限流电阻，不会损坏GTR。否则，集电极电流继续增大，在某电压、电流点产生向低阻抗区高速移动的负阻现象，称为——二次击穿。用S/B表示。 二次击穿时间很短，纳秒到微秒数量级，短时间内的大电流会使器件内出现明显的电流集中和过热点（热斑），轻者使GTR耐压降低，性能变差；严重时，集电结、发射结熔通，永久损坏。 二次击穿按偏置状态分为两种：正偏二次击穿和反偏二次击穿。;1．正偏二次击穿：B－E结正偏，GTR工作于放大区。;2．反偏二次击穿：GTR导通→ 截止变化时，发射结反偏。 存储电荷存在，使C—E间仍流过电流，由于基区电阻存在，使发