《第六章 回复与再结晶》.pptVIP

第六章 回复与再结晶;第一节 形变金属与合金在退火过程中的变化;一、显微组织的变化;4;二、储存能及内应力的变化;残余应力; 由于杂质原子和合金元素阻碍再结晶的形核和长大，推迟再结晶过程，从而使不纯金属和合金中的储能在再结晶开始以前能通过回复而较多地释放出来。;三、性能及其他指标的变化;第二节 回 复;一、退火温度和时间对回复过程的影响;二、回复机制;2. 中温回复 加热温度稍高时，会发生位错运动和重新分布。回复的机制主要与位错的滑移有关，同一滑移面上的异号位错可以相互吸引而抵消。 3. 高温回复 高温时，刃型位错可获得足够能量产生攀移，发生多边化（或多边形化）。 多边化：冷变形金属加热时，原来处在滑移面上的位错通过攀移和滑移，形成与滑移面垂直的亚晶界的过程。 多边化的驱动力：弹性应变能的降低。;13;三、亚结构的变化;四、回复退火的应用;第三节 再 结 晶;17;18;再结晶的特点 变形金属发生再结晶时，力学性能发生显著变化，金属恢复到软化状态；变形储存能得到充分释放；新的无畸变等轴晶完全取代了原畸变晶粒，但是再结晶前后晶格类型不变，因此再结晶不是相变。;一、再结晶晶核的形成与长大 （一）形 核 1. 亚晶长大形核机制 一般在大的变形度下发生。可能有两种方式： （1）亚晶合并形核（适于高层错能金属） （2）亚晶界移动形核（适于低层错能金属） 两种方式都是通过消耗周围的高能量区长大成为再结晶晶核。因此，随着变形度的增大，会产生更多的高能量区，从而有利于再结晶晶核的形成。;21;2. 晶界凸出形核机制 对于变形程度较小（约小于40%）的金属，其再结晶晶核常以晶界凸出方式形成，即应变诱导晶界移动或称为晶界弓出形核机制。; 再结晶退火时，晶界中的某一段向亚晶粒细小、位错密度高的一侧弓出。;（二）长 大 再结晶晶核形成之后，它就借界面的移动而向周围畸变区域长大。 界面迁移的驱动力是无畸变的新晶粒与周围畸变的母体（即旧晶粒）之间的应变能差。 界面移动的方向总是背离界面曲率中心，向着畸变区域推进。直到全部形成无畸变的等???晶粒为止，再结晶即告完成。;二、再结晶温度及其影响因素 再结晶温度：经过严重冷变形（变形度在70%以上）的金属，在约1h的保温时间内能够完成再结晶（＞95%转变量）的温度。 再结晶不是相变，没有一个恒定的转变温度。因此再结晶温度不是一个物理常数，而是随条件的不同（如变形程度、材料纯度、退火时间等），可以在一个较宽的范围内变化。 金属的最低再结晶温度与其熔点之间存在经验关系： T再 ≈ ?Tm (K) 对于工业纯金属，?值为 0.35～0.4； 对于高纯金属，?值为 0.25～0.35 甚至更低。;影响再结晶温度的因素;3. 微量溶质原子 微量溶质原子的存在能显著提高再结晶温度。;4. 第二相 弥散的第二相能提高再结晶温度。弥散度愈大，效果愈好。如果第二相数量不多而且弥散度不大时，有可能使再结晶温度降低。 5. 加热速度与保温时间 加热速度过于缓慢时，再结晶温度上升。但是，极快的加热速度也会因在各温度下停留时间过短而来不及形核与长大，也会致使再结晶温度升高。 在一定范围内延长保温时间会降低再结晶温度。;三、再结晶晶粒大小的控制;影响再结晶晶粒大小的因素; 当变形度超过临界变形度后，则变形度越大，晶粒越细小。 当变形度达到一定程度后，再结晶晶粒大小基本保持不变。;32;（二）再结晶退火温度;（三）原始晶粒尺寸; 溶于基体中的合金元素及杂质，一方面增加变形金属的储存能，另一方面阻碍晶界的运动，一般均起细化晶粒的作用。;第四节 晶 粒 长 大;一、晶粒的正常长大 晶体中有许多晶粒获得长大条件，晶粒的长大是连续地、均匀地进行，晶粒长大过程中晶粒的尺寸是比较均匀的，晶粒平均尺寸的增大也是连续的。 （一）晶粒长大的驱动力 晶粒长大的驱动力是总的界面能的降低，即晶粒长大前后总的界面能差。 细晶粒长大成为粗晶粒是使金属自由能下降的自发过程。晶界的界面能越大，曲率半径越小（或曲率越大），则晶界移动的驱动力越大。; 晶粒长大时，弯曲的晶界总是趋向于平直化，即向晶界的曲率中心方向移动以减少界面积。这与再结晶时晶界移动的方向正好相反。; 因晶界为大角度晶界，其晶界能为常数，故 ?12 = ?13 = ?23 因此三个相邻晶粒晶界相交点力学平衡条件为： ?12 = ?13 = ?23 = 120? 所有三晶界相交而相互间夹角不是120?的将通过晶界迁移趋向120?。;40; 晶粒稳定形状的两个必备条件（缺一不