BOOST电路设计及matlab仿真21867.docx

Boost 升压电路及 MATLAB仿真 一、 设计要求 1.输入电压（ VIN） :300V（ +-20％） 2.输出电压（ VO）:410V 3.输出功率（ PO） :10kw 4.电压纹波：≤ 1％ 5.开关频率设置为 10KHz 输入电压在 240— 360V 范围变化时，稳态输出能够保持在 410V。根据设计要求表明需要设 计一个升压电路即 Boost 电路。 Boost 电路又称为升压型电路 ,是一种开关直流升压电路，它 可以是输出电压比输入电压高。 其工作过程包括电路启动时的瞬态工作过程和电路稳定后的稳态工作过程。 同时，也需设计一个闭环控制电路， 当输入电压变化时， 能准确的跟踪电压变化， 改变 PWM 电压占空比，以稳定输出电压。 二、主电路设计 图 1 主电路 2.1 Boost 电路的工作原理 Boost 升压电路电感的作用： 是将电能和磁场能相互转换的能量转换器件， 当 IGBT开关 管闭合后，电感将电能转换为磁场能储存起来，当 IGBT 断开后电感将储存的磁场能转换为 电场能，且这个能量在和输入电源电压叠加后通过二极管和电容的滤波后得到平滑的直流电压提供给负载，由于这个电压是输入电源电压和电感的磁场能转换为电能的叠加后形成的，所以输出电压高于输入电压，既升压过程的完成。 Boost 升压电路的二极管主要起隔离作用， 即在 IGBT开关管闭合时， 肖特基二极管的正 极电压比负极的电压低， 此时二极管反向截止， 使此电感的储能过程不影响输出端电容对负 载的正常供电；因在 IGBT 管断开时，两种叠加后的能量通过二极向负载供电，此时二极管 正向导通， 要求其正向压降越小越好， 尽量使更多的能量供给到负载端。 闭合开关会引起通 过电感的电流增加。打开开关会促使电流通过二极管流向输出电容因储存来自电感的电流， 多个开关周期以后输出电容的电压升高，结果输出电压高于输入电压。 接下来分两部分对 Boost 电路作具体介绍即充电过程和放电过程。 充电过程 在充电过程中，开关闭合（开关管导通），等效电路如图二，开关（三极管）处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感 上的电流以一定的比率线性增加， 这个比率跟电感大小有关。 随着电感电流增加， 电感里储存了一些能量。 图 2 充电原理图 放电过程 如图，这是当开关管断开时的等效电路。当开关管断开时，由于电感的电流保持特性， 流经电感的电流不会马上变为 0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为 0。而原来的电路已断开，于是电感只能通过新电路放电， 即电感开始给电容充电， 电容两端电压升高， 此时电压已经高于输入电压了。升压完毕。 图 3 放电原理图 参数计算 占空比计算 由上图 1、图 2 可知电感电流连续时，根据开通和关断期间储能和释能相等的原理 Vs gI L gton (Vo Vin )gI L gtoff (1) 可得： t on (2) D T 其中 D 为占空比，有 (1)， (2)式可得故有 D 1 Vs ， Vo 所以 D max 1 240 0.415 ， Dmin 1 360 0.122 410 410 电感的设计 不妨设电感电流连续，最小负载电流I o min 0.1I N 0.1 PN 2.44 A VN 临界负载电流  I OB  VO 2Lf s  D (1 D )2 ，令  I  o min  I OB ，得  L≥ 1.24mH，取  L=1.5mH。 3. 负载电阻计算 由于输出的电压为 410V，输出功率为 10kw，可得负载的电阻值为 16.81 欧姆即可满 足设计要求。 4. 纹波电容的计算 因需要电压纹波≤ 0.01 ，则 Vo D 1 1 0.01 ，得 C≥ 0.493m? ，取 C=500μ?。 Vo f s RC 三、电路设计与仿真 3.1 开环 boost 电路仿真 图 4 开环电路图 电压、电流的仿真结果如下图。 图 5 开环 Boost 电路电压仿真结果 图 6 开环 Boost 电路电路仿真结果 3.2 闭环 Boost 电路仿真 3.2.1 主传递函数计算 仅考虑输入电压波动时。可由公式 (5) 得到传递函数。 Vc D 'VO (1 sL ) g( s) |V g (s) 0 2L D '2 R d ( s) LCs s D ' 2 R 带入数据得： Vc D 'VO (1 sL ) g(s) |Vg ( s) 0 L D '2 R d (s) LCs 2 s 2 D ' R 5.4 10 3 s 108 5.4 10 8 s2 2 10 4 s 只需在前面的开环电路中加入传递函数即可，如下所示。  (5