GaAs-AlMSM器件设计及毛细力辅助飞秒激光3D微纳加工.docxVIP

GaAs-Al MSM器件设计及毛细力辅助飞秒激光 3D微纳加工 GaAs是Ⅲ - Ⅴ族化合物半导体材料 , 具有禁带宽度大、击穿电压高、抗辐照 能力强、化学性能稳定优点。由 GaAs基或 GaAs直接制作的器件 , 在器件反应灵 敏度、线性响应、综合性能方面都有很大的优势。 而金属 - 半导体 - 金属 (MSM)结构的器件因其平面型 , 工艺简单 , 便于集成等优 点倍受青睐。因此 , 近年来 , 用 GaAs材料制备的 MSM光电探测器是人们研究的热 门课题之一。 本文研究了 GaAs基 MSM器件的光电特性。首先对 MSM电探测器的基本结构 和工作原理进行了讨论 , 并提出了改善 MSM光电探测器性能的方法 ; 然后 , 使用 FDTD仿真研究了 Al 光栅 MSM探测器各项结构参数对器件性能的影响 ; 结果表 ,Al 光栅 MSM探测器的性能可以与 Au 光栅探测器性能媲美 , 并且在波长为 600 nm-750nm的范围内 ,Al 光栅探测器的性能比 Au 光栅探测器的性能更优 , 另外 ,Al 金属价格低廉 , 可以大大降低生产成本。 良好的微纳结构是很多前沿科学产生重大突破的前提 , 所以探索微纳结构的 制作方法目前已经成为世界各国的研究热点。飞秒激光双光子聚合 (Two Photon Polymerization,TPP) 作为一种强大的、有潜力的三维微纳加工方法 , 在与物质相 互作用过程中具有作用时间短、热影响区域小、加工精度高等独特的优点 , 并可 以加工多种工程材料 ( 如聚合物、陶瓷、金属、杂化材料等 ) 的任意复杂的三维结 构。 因此被广泛应用在微光学器件、电子、通信、生物医学、微流体器件、微机 电系统、超材料等领域。利用飞秒激光直写技术 , 人们已经成功的制备了各种器 件构型的高质量二维和三维微纳光子器件。 本文便是使用飞秒激光直写技术加工出微柱结构 , 并将毛细力自组装作为辅 助方法 , 制备各种复杂结构。分析了微柱自组装的条件 :FCgt;FE; 均匀分布的微 柱阵列受随机缺陷和溶液蒸发过程中的不稳定因素的影响 , 自组装图案较为随机 , 为了实现对自组装的控制 , 提出了在微柱间增加额外间距的方法。 实验结果表明 , 额外间距的增加可以实现排列均匀、有序、稳定的自组装结 , 并且 , 在自组装范围达到 100%之前 , 额外间距的增加会使自组装范围迅速增大。通过设置额外间距 , 制备了各种图案结构。 研究了制备各向异性结构的方法 : 前端导向蒸发方法——借助重力作用 , 元 胞内微柱受到的毛细力不同 , 待溶液完全蒸发后 , 便可实现各向异性自组装。 通过分析毛细力和弹性回复力的公式 , 发现可以在同一元胞内加工不同高度或不同直径的微柱 , 达到微柱受力不同的目标。 使用飞秒激光直写制备双层结构 , 讨论了底层微柱的直径和加工时的能量对结构的影响 , 分析了上层微柱在不同高度和激光能量时的自组装情况。毛细力自组装结构两个应用 : 一是粒子捕获和释放 , 另一个为结晶 , 在元胞周期较小且溶液浓度较大的情况下 , 可以生成微纳米线。 飞秒激光与毛细力自组装相结合为 3D 微纳结构的制备开辟了新天地 , 在化学 , 生物医药 , 微流体等方面具有非常好的应用前景。