pn结二极管：I-V特性.ppt

边界条件 ? 欧姆接触边界条件 0 ) ( ? ? ? ? x n p 0 ) ( ? ? ? ? x p n 6.2.1 定性推导 6.2.3 严格推导 P A P A p P A L x kT qV D i P p n p P L x kT qV D i n L x L x kT qV D i n p n n P e e N n L qD dx p d qD x J e e N n x p e A e A x p e N n x p x p x p dx p d D ) 1 ( ) ( ) 1 ( ) ( ) ( ) 1 ( ) 0 ( 0 ) ( ) 0 ( 0 2 2 2 1 2 2 2 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? n 区 n A n A n n A L x kT qV A i n n p n n L x kT qV A i p L x L x p kT qV A i p p n p p n e e N n L qD dx n d qD x J e e N n x n e A e A x n e N n x n x n x n dx n d D ) 1 ( ) ( ) 1 ( ) ( ) ( ) 1 ( ) 0 ( 0 ) ( ) 0 ( 0 2 2 2 1 2 2 2 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? p 区 6.2.3 严格推导 正偏时的过剩少子浓度分布 ) 1 )( ( ) 1 ( ) 0 ( ) ) 1 ( ) 0 ( ) 2 2 2 2 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? kT qV A i N N D i p p kT qV A i N N N p N kT qV D i p p p n p A A A e N n L D N n L D qA JA I e N n L D q x J x x J e N n L D q x J x x J （ （ 6.2.3 严格推导 6.2.4 结果分析 二极管） （ 二极管） （ 倍） 管比硅管的饱和电流大 （ 反向饱和电流 正向偏置： ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? pn N n L D qA I n p N n L D qA I Ge N n L D N n L D qA I V kT q I I e I I A i N N D i p p A i N N D i p p A kT qV A 2 0 2 0 6 2 2 0 0 0 10 ) ( ) 2 ( ) ln( ) ln( ( ) 1 ( 非对称结中，重掺杂一 侧的影响较小，可忽略 6.2.4 结果分析 （ 4 ）载流子电流 6.2.4 结果分析 （ 4 ）载流子浓度 6.2.4 结果分析 0 偏 正偏 反偏 讨论题：理想二极管的 I-V 曲线如何随温度而变化 6.2.4 结果分析 例题 2 将电压 V A =23.03kT/q 加在一个突变二极管 上，且二极管 n 型和批 p 型区杂质浓度为 N A =10 17 cm 3 和 N D =10 16 cm 3 . 画出器件准中性 区内的多数和少数载流子浓度的 log （ p,n) 与 x 的关系图。在你的图中确定出离耗尽层边 界 10 倍和 20 倍扩散长度的位置 热平衡 耗尽层 边界 小注入条件成立： 少子在准中性 区的分布 6.2.4 结果分析 6.3 与理想情况的偏差 击穿 Si pn 结的 I-V 特性曲线 1 。理想理论与实验的比较 耗尽层中载流子的复合和 产生 第六章 pn 结 6.1 pn 结及其能带图 6.2 pn 结电流电压特性 6.3 与理想情况的偏差 * （了解） 据统计：半导体器件主要有 67 种，另外 还有 110 个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成： ? pn 结 ? 金属－半导体接触 ? MOS 结构 ? 异质结 ? 超晶格 6.1 pn 结及其能带图 1 p-n 结的形成和杂质分布 在一块 n 型半导体单晶上，用适当的方 法（扩散或离子注入）把 p 型杂质掺入其 中，使其在不同的区域形成 p 型和 n 型， 在二者的交界面处形成了 pn 结。 6.1 pn 结及其能带图 pn 结二极管的制备 冶金结的位置 杂质浓度随位置的变化曲线 6.1 pn 结及其能带图 理想化的杂质分布近似 突变结 线性缓变结 杂质分布 xx j , N(x)=N A xx j , N(x)=N D ? （ x)=qax 0 6.1