半导体基本工艺讲解.doc

半导体工艺讲解(1)--掩模和光刻（上） 概述 光刻工艺是半导体制造中最为关键工艺步骤之一。关键作用是将掩膜板上图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或离子注入工序做好准备。光刻成本约为整个硅片制造工艺1/3，花费时间约占整个硅片工艺40～60%。 光刻机是生产线上最贵机台，5～15百万美元/台。关键是贵在成像系统（由15～20个直 径为200～300mm透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度很快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻部分主 要机台包含两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning ) ?光刻工艺要求：光刻工具含有高分辨率；光刻胶含有高光学敏感性；正确地对准；大尺寸硅片制造；低缺点密度。 ? 光刻工艺过程 　　通常光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 ?1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking） 方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮气保护） 目标：a、除去表面污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面黏附性（对光刻胶或是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming) 方法：a、气相成底膜热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；? ?b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。 目标：使表面含有疏水性，增强基底表面和光刻胶黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating） 方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）； ?????????b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。 决定光刻胶涂胶厚度关键参数：光刻胶黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄； 影响光刻胶厚度均运性参数：旋转加速度，加速越快越均匀；和旋转加速时间点相关。 通常旋涂光刻胶厚度和曝光光源波长相关（因为不一样等级曝光波长对应不一样光刻胶种类和分辨率）： I-line最厚，约0.7～3μm；KrF厚度约0.4～0.9μm；ArF厚度约0.2～0.5μm。 4、软烘（Soft Baking） 方法：真空热板，85～120℃,30～60秒； 目标：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内应力；预防光刻胶玷污设备； 边缘光刻胶去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘正反两面全部会有光刻胶堆积。边缘光刻胶通常涂布不均匀，不能得到很好图形，而且轻易发生剥离（Peeling）而影响其它部分图形。所以需要去除。 方法：a、化学方法（Chemical EBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少许在正反面边缘出，并小心控制不要抵达光刻胶有效区域；b、光学方法（Optical EBR）。即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成图形曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解 5、对准并曝光（Alignment and Exposure） 对准方法：a、预对准，经过硅片上notch或flat进行激光自动对准；b、经过对准标志（Align Mark），在切割槽（Scribe Line）上。另外层间对准，即套刻精度（Overlay），确保图形和硅片上已经存在图形之间对准。 ? ? 曝光中最关键两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。假如能量和焦距调整不好，就不能得到要求分辨率和大小图形。表现为图形关键尺寸超出要求范围。 ?? 曝光方法：a、接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接和光刻胶层接触。曝光出来图形和掩膜板上图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。 b、靠近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板和光刻胶层略微分开，大约为10～50μm。能够避免和光刻胶直接接触而引发掩膜板损伤。不过同时引入了衍射效应，降低了分辨率。1970后适用，不过其最大分辨率仅为2～4μm。 ?c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板和光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。通常掩膜板尺寸会以需要转移图形4倍制作。优点：提升了分辨率；掩膜板制作愈加轻易；掩膜板上缺点影响减小。