半导体硅片生产基本工艺作业流程及基本工艺注意要点.doc

硅片生产工艺步骤及注意关键点 介绍 硅片准备过程从硅单晶棒开始，到清洁抛光片结束，以能够在绝好环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求硅片要经过很多步骤和清洗步骤。除了有很多工艺步骤之外，整个过程几乎全部要在无尘环境中进行。硅片加工从一相对较脏环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包含很多步骤。全部步骤概括为三个关键种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或部分体材料性能；能降低不期望表面损伤数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工关键步骤如表1.1经典步骤所表示。工艺步骤次序是很关键，因为这些步骤决定能使硅片受到尽可能少损伤而且能够降低硅片沾污。在以下章节中，每一步骤全部会得到具体介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 切片 激光标识 倒角 磨片 腐蚀 背损伤 边缘镜面抛光 预热清洗 抵御稳定——退火 背封 粘片 抛光 检验前清洗 外观检验 金属清洗 擦片 激光检验 包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工介绍中，从单晶硅棒开始第一个步骤就是切片。这一步骤关键是怎样在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用硅片。为了尽可能得到最好硅片，硅片要求有最小量翘曲和最少许刀缝损耗。切片过程定义了平整度能够基础上适合器件制备。 切片过程中有两种关键方法——内圆切割和线切割。这两种形式切割方法被应用原因是它们能将材料损失降低到最小，对硅片损伤也最小，而且许可硅片翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏过程，能够描述为一个研磨过程，这一过程会产生大量颗粒和大量很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘碳板和用来粘碳板粘结剂必需从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很关键一点就是保持硅片次序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片以后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下相同次序进行编码，所以能知道硅片正确位置。这一编码应是统一，用来识别硅片并知道它起源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒什么位置切割下来。保持这么追溯是很关键，因为单晶整体特征会伴随晶棒一头到另一头而改变。编号需刻足够深，从而到最终硅片抛光完成后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且假如趋向明了，那么就能够采取正确方法。激光标识能够在硅片正面也可在后面，尽管正面通常会被用到。 倒角 当切片完成后，硅片有比较尖利边缘，就需要进行倒角从而形成子弹式光滑边缘。倒角后硅片边缘有低中心应力，所以使之更牢靠。这个硅片边缘强化，能使之在以后硅片加工过程中，降低硅片碎裂程度。图1.1举例说明了切片、激光标识和倒角过程。 图1.1 磨片（Class 500k） 接下来步骤是为了清除切片过程及激光标识时产生不一样损伤，这是磨片过程中要完成。在磨片时，硅片被放置在载体上，并围绕放置在部分磨盘上。硅片两侧全部能和磨盘接触，从而使硅片两侧能同时研磨到。磨盘是铸铁制，边缘锯齿状。上磨盘上有一系列洞，可让研磨砂分布在硅片上，并随磨片机运动。磨片可将切片造成严重损伤清除，只留下部分均衡浅显伤痕；磨片第二个好处是经磨片以后，硅片很平整，因为磨盘是极其平整。 磨片过程关键是一个机械过程，磨盘压迫硅片表面研磨砂。研磨砂是由将氧化铝溶液延缓煅烧后形成细小颗粒组成，它能将硅外层研磨去。被研磨去外层深度要比切片造成损伤深度更深。 腐蚀（Class 100k） 磨片以后，硅片表面还有一定量均衡损伤，要将这些损伤去除，但尽可能低引发附加损伤。比较有特色就是用化学方法。有两种基础腐蚀方法：碱腐蚀和酸腐蚀。两种方法全部被应用于溶解硅片表面损伤部分。 背损伤（Class 100k） 在硅片后面进行机械损伤是为了形成金属吸杂中心。当硅片达成一定温度时?，如Fe, Ni, Cr, Zn等会降低载流子寿命金属原子就会在硅体内运动。当这些原子在硅片后面碰到损伤点，它们就会被诱陷并本能地从内部移动到损伤点。背损伤引入经典是经过冲击或磨损。举例来说，冲击方法用喷砂法，磨损则用刷子在硅片表面磨擦。其它部分损伤方法还有：淀积一层多晶硅和产生一化学生长层。 边缘抛光 硅片边缘抛光目标是为了去除在硅片边缘残留腐蚀坑。当硅片边缘变得光滑，硅片边缘应力也会变得均匀。应力均匀分布，使硅片更坚固。抛光后边缘能将颗粒灰尘吸附降到最低。硅片边缘抛光方法类似于硅片表面抛光。硅片由一真空吸头吸住，以一定角度在一旋转桶内旋转且不妨碍桶垂直旋转。该桶有一抛光衬垫并有砂浆流过，用一化学/机械抛光法将硅片边缘腐蚀坑清除。另一个方法是只对硅片边缘进行酸腐蚀。 图1.2举例说明了上述四个步骤： 图1.2 预热清洗（Class 1k） 在硅片进入抵御稳定前，需要清洁，将有机物及