SnTe缓冲层在CdTe薄膜太阳电池背接触中的应用.docxVIP

SnTe 缓冲层在 CdTe薄膜太阳电池背接触中的应用 近年来 ,CdTe 薄膜太阳电池展现出了广阔的市场应用前景。然而 , 现今 CdTe 薄膜太阳电池的转换效率和其理论极限之间仍然存在着巨大差距。 尤其是电池的开路电压 (Voc) 还需要进一步地提升 , 其被 CdTe材料过高的功 函数所限制。 在此学位论文的研究工作中 ,p 型 SnTe薄膜作为背接触缓冲层被应 用到了 CdTe 薄膜太阳电池中。 SnTe是Ⅳ - Ⅵ族化合物半导体中的一员 , 具有直接跃迁和窄禁带等属性 , 并 且其拥有低电阻、高迁移率和高载流子浓度的优良电学特性。 X 射线光电子能谱 (XPS)表征表明在 CdTe/SnTe异质结界面 ,SnTe 的价带顶比 CdTe高了 0.76 eV 。 这个价带差很适合空穴从 CdTe向 SnTe流动。在这份学位论文中 , 采用了热 蒸发的方法来制备 SnTe薄膜。 然后将 SnTe以及其它背接触缓冲层应用到了 CdTe薄膜太阳电池中 , 并对这 些电池的性能进行了详细地分析。取得的创新性成果如下 :1 、将 100 nm 厚的单 SnTe缓冲层应用到电池的背接触中 , 制备了无 Cu 的 CdTe薄膜太阳电池 , 其展现出了与传统 CuxTe或者 ZnTe:Cu 缓冲层结构的电池相媲美的效率。 由于 Cu被认为会引起 CdTe薄膜太阳电池性能的退化 , 单层 SnTe缓冲层的电池会拥有更好的稳定性。 2、考虑到 CdTe和 SnTe异质结界面存在界面复合 , 在 CdTe和金属 Ni 之间加入了一种更合理的结构 , 即 ZnTe:Cu(60 nm)-SnTe(40 nm) 结构 ,ZnTe:Cu 作为电子反射层可以有效的减少在 CdTe和 SnTe界面发生的复合。 因此 , 制备出了最好性能的电池 , 其转换效率为 14.60%, 填充因子为 70.20%, 开路电压达 841.3 mV, 短路电流密度达 24.7 mA/cm2。ZnTe:Cu/SnTe 双缓冲层结 构实现了开路电压近 40 mV 的提升。 3、发现了 Sn 原子在 CdTe吸收层中的扩散可以提高 CdTe空穴浓度。这个发 现为实现 CdTe更好的 p 型掺杂提供了一种新方法 , 有助于提升 CdTe薄膜太阳电 池的性能。