二极管击穿理解的误区.pptxVIP

1 其实初学者对于二极管击穿的问题，有时候会有一个误区，我就有过这样的情况。尤其当我 们看到二极管击穿电压可达到 1000V 甚至可能更高的时候，有些人可能会产生这样一个疑 问：我们了解到硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为 0.2~0.3V，而为什么，其击穿电压可以达到 1000V 呢？ 对于这个问题我们先了解一下二极管的一些特性 1、二极管的正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服 PN 结内电场的阻挡 作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电 压。当正向电压大于死区电压以后，PN 结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增 大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压 称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，电流 迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为 0.5V，锗管约为 0.1V。 硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为 0.2~0.3V。 2、二极管的反向性 外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。 由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二 极管的反向饱和电流受