巨磁电阻效应及应用.PDFVIP

大学物理实验 巨磁电阻效应及应用 人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态，后来发现很多过渡金属 和稀土金属的化合物具有反铁磁有序状态，相关理论指出这些状态源于铁磁性原子磁矩之 间的直接交换作用和间接交换作用。直接交换作用的特征长度为 0.1-0.3nm, 间接交换作用 可达1nm 以上，所以，科学家们开始了探索人工微结构中的磁性交换作用。 1986 年，德国物理学家彼得.格伦贝格尔（Peter Grunberg ）采用分子束外延方法制备 了铁-铬-铁三层单晶薄膜，发现对于非铁磁层铬的某个特定厚度，没有外磁场时，两边铁 磁层磁矩是反平行的，这个新现象称为巨磁电阻（Giant magneto resistance,简称GMR ）效 应出现的前提。进一步发现，两个磁矩反平行时对应高电阻状态，平行时对应低电阻状态。 1988 年，法国物理学家阿尔贝.费尔（Albert Fert ）的研究小组，将铁、铬薄膜交替制 成几十个周期的铁-铬超晶格薄膜，发现当改变磁场强度时，超晶格薄膜的电阻下降将近一 半，这个前所未有的电阻巨大变化现象被称为巨磁电阻效应。 GMR 效应的发现，导致了新的自旋电子学的创立，GM