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标准 一、填空题 h2 k 2 E(k) 1. 自由电子的能量与波数的关系式为（ 2m0 ），孤立原子中的电子能量（大小为 En m0 q 4 8 02 h2 n2 的分立能级） ，晶体中的电子能量为（电子共有化运动）所形成的（准连续） 的能带。 2. 温度一定时，对于一定的晶体，体积大的能带中的能级间隔（小） ，对于同一块晶体，当 原子间距变大时，禁带宽度（变小） 。 3. 玻尔兹曼分布适用于（非简并）半导体，对于能量为 E 的一个量子态被电子占据的概率 f B ( E ) exp( EF ) exp( E ) 为（ k0T k0 T ），费米分布适用于（简并）半导体，对于能量为 E 的 f (E) 1 E EF ) 1 exp( 一 个 量 子 态 被 电 子 占 据 的 概 率 为 （ k0T ）， 当 EF 满 足 （ E C EF 2k0 T或 EF EV 2k0T ）时，必须考虑该分布。 4. 半导体材料中的（能带结构（直接复合） ）、（杂质和缺陷等复合中心（间接复合） ）、（样 品形状和表面状态（表面复合） ）等会影响非平衡载流子的寿命，寿命值的大小反映了材料 晶格的（完整性） ，是衡量材料的一个重要指标。 5. Si 属于（间接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区的（ 100 方向）上由布里渊区 中心点Г到边界 X 点的（ 0.85 倍）处，导带极值附近的等能面是（长轴沿 100 方向的旋 转椭球面），在简约布里渊区，共有（ 6 ）个这样的等能面。 6. Ge 属于（间接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区的（ 111 方向）上由布里渊区 边界 L 点处，导带极值附近的等能面是（长轴沿 111 方向的旋转椭球面） ，在简约布里渊 文案 标准 区，共有（ 4 ）个这样的等能面。 GaAs 属于（直接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区中心点Г处，极值附近的等能 面是（球面），在简约布里渊区，共有（ 1 ）个这样的等能面。在布里渊区的（111 方向） 边界 L 点处，存在高于能谷值 0.29eV 的次低能谷，简约布里渊区一共有（ 8 ）个这样的能 谷。 8. Si 、 Ge 和 GaAs 能带结构的 共同点： 1) 禁带宽度具有负温度系数 2) 价带顶位于布里渊区 中心， k=0 处，等能面不是球面，有轻重空穴之分。 9. 有效质量是（半导体部势场）作用的概括。由于晶体部的各向异性，在 k 空间的三个主 轴上，有效质量可以表示为（ 1 1 2 E 1 1 2E 1 1 2 E * h 2 2 、 * 2 2 、 * h 2 2 ，一般情况 mx kx my h k y mz kz * ** 2 E * ( 2E 下， mx ，my ，mz 是不等的）。在能带底部， 为 (正 )值，即 mn 0) ；在能带顶部， k 2 k 2 为( 负)值，即 mn* ( 0) 。在 E ~ k 关系的拐点处， （ mn* ），说明此处电子（不受外电场 作用，电子从外场获得的能量，全部释放给晶格） 。层电子形成的能带（窄） ， E ~ k 曲线曲 率（小）， 2 E * 2 E * k 2 （小），所以 mn （大）。外层电子能带（宽） ， 2 （大），所以 mn （小）， k 共有化运动强，在外力作用下，可以获得更大的加速度。 E h2k 2 10. 一种晶体中导带底电子能量 E 与波矢 K 的关系为 Ec 错误 ! 未找到引用源。 ， 2A 其中 Ec 为导带底能量， A 是常数，则电子的有效质量： （ mn h2 A ）。 ( d 2 E ) dk 2 E h2 (k k0 )2 B 错误 !未找到引用源。 ，其中 k0 11. 一维晶体中电子能量 E 与波矢 K 的关系为 文案 标准 1 dE 2h 和 B 是常数，则电子速度： （ v ）。 h dk B 12. 半导体的陷阱中心使其中心光电导灵敏度（提高） ，并使其光电导衰减规律（延长衰减 时间）。 当系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统（每增加一个电子）所引起系统 自由能的变化， 等于系统的化学势， 也就是等于系统的费米能级。 费米能级标志了 （电子填充能级）的水平。它主要受（掺杂浓度） 、（掺杂种类）和（温度）的影响。在绝对零度时， E EF 的能级（没有）电子占据；而 E EF 的能级（完全被）电子占据。随着温度的升 高，电子占据 E EF 的能级概率（增大） ，空穴占据 E EF 的能级概率（增大） 。 二、选择题 1. 施主杂质电离后向半导体导带提供（ B ），受主杂质电离后向半导体价带提供（ A ）， 本征激发后向半导体提供（ AB）。 A. 空穴 B. 电子 2. 室温