SEM二次电子成像和背散射电子成像.pdf

扫描电镜二次电子及背散射电子成像技术 扫描电镜成像主要是利用样品表面的微区特征，如形貌、原子序数、化学成分、 晶体结构或位向等差异， 在电子束作用下产生不同强度的物理信号， 使阴极射线 管荧光屏上不同的区域呈现出不同的亮度， 从而获得具有一定衬度的图像， 常用 的包括主要由二次电子 (SE，secondary electron)信号所形成的形貌衬度像和由背 散射电子 (BSE, backscattered electron)信号所形成的原子序数衬度像。 1. 二次电子 (SE)像—形貌衬度 二次电子是被入射电子轰击出的原子的核外电子，其主要特点是： (1)能量小于 50eV ，在固体样品中的平均自由程只有 10～ 100nm，在这样浅的表层里， 入射电子与样品原子只发出有限次数的散射，因此基本上未向侧向扩散； (2)二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角 a , a 大的面发射的二次 电子多，反之则少。 根据上述特点， 二次电子像主要是反映样品表面 10 nm 左右的形貌特征， 像的衬度是形 貌衬度， 衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。如果样品表面光滑平 整（无形貌特征） ，则不形成衬度；而对于表面有一定形貌的样品，其形貌可看成由许 多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成，这些细节的不同部位发射的 二次电子数不同，从而产生衬度。二次电子像分辨率高、无明显阴影效应、场深大、立 体感强，是扫描电镜的主要成像方式，特别适用于粗糙样品表面的形貌观察，在材料及 生命科学等领域有着广泛的应用。 2. 背散射电子 (BSE)像—原子序数衬度 背散射电子是由样品反射出来的初次电子，其主要特点是： (1)能量高，从 50eV 到接近入射电子的能量，穿透能力比二次电子强得多，可从样品中 较深的区域逸出 (微米级 )，在这样的深度范围，入射电子已有相当宽的侧向扩展，因此 在样品中产生的范围大； (2) 被散射电子发射系数 η随原子序数 Z 的增大而增加，如下图所示。 由以上特点可以看出， 背散射电子主要反映样品表面的成分特征，即样品平均原子序数 Z 大的部位产生较强的背散射电子信号，在荧光屏上形成较亮的区域；而平均原子序数 较低的部位则产生较少的背散射电子， 在荧光屏上形成较暗的区域，这样就形成原子序 数衬度（成分衬度） 。与二次电子像相比，背散射像的分辨率要低，主要应用于样品表 面不同成分分布情况的观察，比如有机无机混合物、合金等。 如上图所示，在铅 / 锡合金样品的二次电子图像上，可观察到表面起伏的形貌信息；在 被散射电子图像中，可观察到不同组分的分布情况，在铅 (原子序数为 82)富集的区域亮 度高，而锡 (原子序数为 50) 富集的区域相对较暗。