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- 2020-11-03 发布于天津
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光伏工程师必须掌握的电池理论基础光伏电池生产制造可以说是光伏产业链中最重要也是技术含量最高的环节熟悉掌握太阳能电池相关的理论基础对进一步理解电池生产工艺及高效电池的研发都是很有必要的为此笔者对太阳能光伏电池理论做了一些基础总结光学基础晶体硅的禁带宽度为其随温度而变化但一般在之间由入推出入本征吸收的光波极限由光生伏特效应可知只有波长小于的才能在硅中激发出出电子空穴对即产生光生伏特效应而如下图所示上的太阳辐射能的波长位于可见光波长为紫色一红色故能产生光生伏特效应的光子占大部分的为可见光太阳光谱中波长
光伏工程师必须掌握的电池理论基础
光伏电池生产制造可以说是光伏产业链中最重要,也是技术含量最高的环节,熟悉 掌握太阳能电池相关的理论基础,对进一步理解电池生产工艺及高效电池的研发都是很 有必要的,为此笔者对太阳能光伏电池理论做了一些基础总结。
光学基础
晶体硅的禁带宽度为 Eg=1.12ev,其随温度而变化,但一般在 1.1 — 1.3ev之间。由
hv=hc/ 入=Eg 推出:
入=hc/Eg=1.24/1.12=1100nm (本征吸收的光波极限)
由光生伏特效应可知: 只有波长小于110 Onm的才能在硅中激发出出电子空穴对, 即
产生光生伏特效应。
而如下图所示,97%^上的太阳辐射能
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