半导体物理试卷b答案.pdfVIP

一、名词解释（本大题共 5 题 每题 4 分，共 20 分） 1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合， 这样的复合过程称为直接复合。 2. 本征半导体： 不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体， 它的电子和空穴数 量相同。 3．简并半导体：半导体中电子分布不符合波尔兹满分布的半导体称为简并半导 体。 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生 高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△ n=n-n 0 和空穴 △p=p-p 0 称为过剩载流子。 4. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周 期性势场作用。 有效概括了半导体内部周期性势场的作用， 使外场力和载流子加 速度直接联系起来。 在直接由实验测得的有效质量后， 可以很方便的解决电子的 运动规律。 5. 等电子复合中心 等电子复合中心：在 III- V 族化合物半导体中掺入一定量与主原子等价的 某种杂质原子，取代格点上的原子。由于杂质原子与主原子之间电性上的差别， 中性杂质原子可以束缚电子或空穴而成为带电中心。 带电中心吸引与被束缚载流 子符号相反的载流子， 形成一个激子束缚态。 这种激子束缚态叫做等电子复合中 心。 二、选择题（本大题共 5 题 每题 3 分，共 15 分） 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（ D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2 ．有 3 个硅样品，其掺杂情况分别是： -15 -3 -17 -3 -17 -3 甲．含铝 1×10 cm 乙. 含硼和磷各 1×10 cm 丙. 含镓 1×10 cm 室温下，这些样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ C ） 甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．有效复合中心的能级必靠近 ( A ) A. 禁带中部 B. 导带 C. 价带 D. 费米能级 4 ．当一种 n 型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿 命正比于（ C ） n n p p A.1/ 0 B.1/ △ C.1/ 0 D.1/ △ 5．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 ( A ) A. 散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D. 表面复合速度 6 ．以下 4 种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 三、简答题（ 20 分） 1．请描述小注入条件正向偏置和反向偏置下的 pn 结中载流子的运动情况， 写出 其电流密度方程，请解释为什么 pn 结具有单