西工大数字集成电路实验报告_实验2反相器(上)代码.docxVIP

1. 2.计算出这个电路的Voh Vol及Vih Vil。（计算可先排除速度饱和 的可能) Vn =0 时，Voh=2.5V Vin=2.5时，假设NMOS工作在临界饱和区： W 2 4 Id K /2 —(Vn Vt)2 Id 7.39 10 A L Vout Vin W 2.5 0.43 2.07v 这样的话根据 2.5 ID1Rl Vout ID1 5.73 10 6A 0.04633VID1 Id，器件实际工作在线性区 0.04633V 1 d 2.5 Vin W K — [(Vin L 1 d Rl Vol 2.5v Vt)Vc VOl] 儿2 ] W 将k 115 10 6 L