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华工科拉“源光子 HG Genuine 芯片工艺及光电特性介绍 09.04.2020  华工科拉“源光子 HG Genuine LD芯片工艺及光电特性 09.04.2020  华工科拉“源光子 HG Genuine 半导体激光器具体设计: 根据不同的应用要求需要激光器有许多不同的 设计 据光纤通信系统的要求,发射器件一般采用 1310nm、1550m波长的F-P或DFB结构大功率、高线 性以及温度特性好的器件:普通采用 Ingaasp/InP 材料系MQW有源层设计,如果要求较大温度范围内 工作的无制冷激光器可以采用 AlGaInas/InP材料系 MQW有源层设计;根据应用要求可以制作FP、DFB 结构,根据波导结构可以制作RWG和BH两种。 09.04.2020  华工科拉“源光子 半导体激光器工作原理 HG Genuine 半导体激光器( Laserdiodes)利用 电子注入后半导体材料发生受激辐射并 通过相干光子的谐振放大实现激光的输 出,在调制电信号输入后完成光信号的 输出。 其激射工作需要满足3个基本条件 要有能实现电子和光场相互作用的半导 体材料;要有注入能量的泵浦源;要有 ♂个谐振腔并满足振荡条件 09.04.2020  华工科拉“源光子 光纤通信用激光器芯 片结构分类 In gaAsP/nP RWG AlGaInAs/InP FP In GaAsP/InP BH In gaAsP/Inp/alinas LD In GaAsP/InP 1310nm RWG DFB AIGalnAs/InP AIGalnas/nP 850nm(VCSEL) BH In GaAsP/InP 09.04.2020  华工科拉“源光子 FP LD Wafer DFB LD Wafer P-InGaAs Contact lave P-InP Contact laye Etching Stop layer InGaAsP grating layer Upper Confining layer MQW Active region MQW Active region Lower Confining layer Lower Conning layer N-InP Buffer Layer N-InP Buffer Layer N-InP Substrate 09.04.2020  华工科拉“源光子 RWG结构LD效果图 叵 側向 GA题意滤是 M Aa层 09.04.2020  华工科拉“源光子 HG Genuine 两种结构的剖面图 RWG  华工科拉“源光子 HG Genuine DFB光栅 2kUx5;g日日.5人r JSM-561ELU 09.04.2020  华工科拉“源光子 典型的RWG-F-PLD制作工艺流程 wt-F 异廷片的 面鍍 光刻及刻 光刻制作 曲接触条 淀积绝缘 光刻腐性 个原要 刺离及N百 N面射 6理为ba 减薄 解且为 崾后 光学质 重自 注样老化