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第一章 集成电路设计进展 一、 基本概念 1. 集成电路制造工艺发展水平的衡量标准 （1） 特征尺寸一般是指集成电路在设计与生产中可以达到的最小线宽，也代表 MOS 晶体管栅极在制造时可达到的最小沟道长度 L。 （2 ） 硅晶圆片直径是指一般集成电路芯片衬底材料硅晶圆片的直径。 （3） DRAM储存容量是指单片集成电路芯片上可存储数据信息的位数或信息量。 2. 集成电路产业发展过程中一直遵循的 Moore ’s定律 集成电路芯片上所集成的晶体管数量将每 18~24 个月翻一番。 3. 集成电路的分类方式与设计需要具备的四个关键条件 分类方式： （1） 以集成度分类：小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规 模集成电路、特大规模集成电路、巨大规模集成电路 （2 ） 以实现功能特性与使用范围来分类： （实现功能特性分类） 数字集成电路、 模拟 集成电路、数 / 模混合集成电路， （使用范围分类）通用集成电路、专用集成电 路、专用标准产品或军用集成电路、工业用集成电路和民用集成电路 （3） 以设计方式分类：全定制设计集成电路、半定制设计集成电路、可编程设计集 成电路 （4 ） 以制造工艺分类： 双极工艺集成电路、 MOS工艺集成电路、 BiMOS工艺集成电路 （5） 从集成电路制造结构分类：厚膜混合集成电路、薄膜混合集成电路 设计需要具备的四个关键条件：人才、工具、工艺库、资金 二、 论述与分析 1. 集成电路制造工艺的发展趋势 集成电路制造工艺发展趋势性变化越来越明显，速度越来越快。集成电路的特征尺 寸越来越小、 芯片尺寸越来越大、 单片上的晶体管数越来越多、 时钟速度越来越快、 电源电压越来越低、布线层数越来越多、 I/O 引线越来越多 2. 集成电路产业结构经历的 3 次重大变革 首次变革是以加工制造为主导的。这一时期半导体制造在 IC 产业中充当主角， IC 设计和半导体工艺密切相关且主要以人工为主； 第二次变革以芯片代工厂和集成电 路设计公司的专业分工为标志。这一时期是集成电路产业的一次大分工，设备产能 提高，生产成本提高， 相关厂家开始承接对外加工， 形成了 Foundry 加工和 Fabless 设计的专业分工， IC 产业进入了以客户为导向的阶段， EDA工具的发展，使 IC 设 计工程可以独立于生产工艺；第三次变革以设计、制造、封装和测试四业分离为标 志。集成电路产业的又一次大分工，庞大的 IC 产业体系开始阻碍整个产业的快速 发展， IC 产业结构向高度专业化转变，逐渐形成设计、制造、封装和测试独立成行 的局面， IC 产业进入了以竞争为导向的高级阶段，系统设计与 IP 核设计逐渐开始 分工， 基于这种分工， IC 设计企业能大大加快产品的更新换代， 并形成了一种新的 设计概念—— SOC 3. 基于 EDA工具，简述一般 IC 的设计步骤 首先进行系统分析规划， 再进行原理图和 HDL的设计并进行功能原理仿真， 再对 HDL 设计进行逻辑综合， 在综合后仿真， 然后进行版图设计， 接着进行布局布线后仿真， 最后进行版图的验证。 4. 全定制设计、半全定制设计 全定制设计： 是早期最基本的集成电路设计方式，