设备验收报告——烧结炉.docxVIP

设备名称 型号规格 数量/套 验收范围 烘干烧结一体炉 SJ-1400 一台 验收日期： 年 月 日 技术规格 （祥见附文） 验收项目 验收指标 验收结果 备注 干燥区温控精度 土 2C 烧结区温控精度 土 2C 温度控制精度 土 10C 升温速率 45 C /s 冷却速率 -90 C/s 网带稳定性 土 2% 烧结出口温度 60 C 气流稳定性 土 5% 工艺效果验收 单晶50方阻、多晶 55方阻烧结 培训 培训内容 培训对象（签字） 培训时间 备注 网带清洗 设备操作 日常维护/故障排查 资料交付 类型 交接对象（签字） 交接时间 备注 使用说明书 关键部件说明书 备品备件交接 验收结论: 意见和建议: 甲方 名称：中恒科技 工艺代表： 乙方 名称：北京中联科伟达技术股份有限公司 设备代表： 设备代表： 现场负责人： 工厂负责人：（盖章） 日 期：2010年 月 日 日 期：2010年 月 日 验收依据 1、 年—月 日，甲、乙双方签订的 SJ-1400型烘干烧结一体炉设备购销合同 2、 年—月—日，甲、乙双方签订的 SJ-1400型烘干烧结一体炉设备验收细则 验收项目 1、 干燥区温控 2、 烧结区温控 3、 温度控制精度 4、 升温速率 5、 冷却速率 6、 网带稳定性 7、 烧结炉出口温度 8、 气流稳定性 9、 工艺效果验证 验收标准、方法 干燥区温控 30min)30min )校验方法：将干燥区的 3个温区温度进行设定，设定范围控制在 100?400 30min) 30min ) 后，保温持续4小时，根据设定值与温控表测量出的实际值相比较得出该指标。 验收标准：3个温区温度波动控制在士 2 C以内 烧结区温控 校验方法：将烧结区的 6个温区温度进行设定，设定范围控制在 200?1000 C之间，待温度稳定（需 后，保温持续4小时，根据设定值与温控表测量出的实际值相比较得出该指标。 验收标准：6个温区温度波动控制在士 2 C以内 温度控制精度校验方法：待正常工艺运行稳定后，使用 检验手*段。验收标准：温度曲线峰值温度控制在士升温速率 温度控制精度 校验方法：待正常工艺运行稳定后，使用 检验手*段。 验收标准：温度曲线峰值温度控制在士 升温速率 校验方法：待正常工艺运行稳定后，使用 DataPAQ测温仪进行温度测试, 10C以内 DataPAQ测温仪进行温度测试, 以同一硅片在炉内的多点温度曲线为 记录硅片在炉内的温度曲线，以温度 从500 - 950 C温度上升的速率大小为检验手段。 验收标准：最大正斜率为 45 C /s 冷却速率校验方法：待正常工艺运行稳定后，使用-600 °C 冷却速率 校验方法：待正常工艺运行稳定后，使用 -600 °C的温度下降速率大小为检验手段。 验收标准：最大负斜率为— 90 C /s 网带稳定性 校验方法：对网带速度进行设定，设定范围 相比较得出该指标。 验收标准：＜ 士 2%*设定值 烧结炉出口温度 DataPAQ测温仪进行温度测试, 记录硅片在炉内的温度曲线，从 930 50-610cm/min，待网带稳定后，根据设定值与操作界面显示值 校验方法：外围供水温度为 20C,待正常工艺运行稳定后，以操作界面显示值或用温度测试仪测试生产电池 片表面温度得出该指标。 验收标准：＜ 60 C 气流稳定性 校验方法：运行正常工艺配方后，外围供气稳定，以压力表显示为准，检测压缩空气在 4个小时内的变化量得 出该指标。 验收标准：变化量控制在士 5%*显示值 工艺效果验证 校验方法：执行正确工艺配方，对单晶 50方阻（多晶55方阻）电池片进行烧结测试。以烧结后电池片各电性 能为该项指标（其中电池片选取必须是稳定片源）。 验收标准：测试数据无异常 四、验收结果附表 五、培训内容详细附表 附件1: 烧结炉设备操作培训流程确认 培训时间 培训对象 培训内容： 设备整体结构介绍 I I 完成； 口 未完成，原因 界面介绍 口 完成； 口 未完成，原因 手动操作培训（是否具备独立手动操作的能力） I I 完成； 口 未完成，原因 工艺参数设置培训 完成； 口 未完成，原因 签字确认: 附件2: 烧结炉设备安装维护培训流程确认 培训时间 培训对象 培训内容： 设备整体结构介绍 I I 完成； 口 未完成，原因 界面介绍 I I 完成； 口 未完成，原因 手动操作培训（是否具备独立手动操作的能力） 口 完成； 口 未完成，原因 工艺参数设置培训 完成； 口 未完成，原因 电器控制原理培训 口 完成； 口 未完成，原因 电器参数设置培训 口 完成； 口 未完成，原因 故障处理培训 I I 完成； 口 未完成，原因 维护、保养培训 I I 完成； 口 未完成，原因 签字确认： 六、资