ALD关键技术的发展与应用.docVIP

ALD技术发展和应用 摘要：伴随微电子行业发展, 集成度不停提升、器件尺寸连续减小, 使得很多传统微电子材料和科技面临巨大挑战, 然而原子层沉积(ALD)技术作为一个优异镀膜技术, 因其沉淀薄膜纯度高、均匀性及保行性好, 还能十分正确地控制薄膜厚度和成份,仍然备受关注并被广泛应用于半导体领域。本文简明介绍了ALD技术原理、沉积周期、特征、优势、化学吸附自限制ALD技术及ALD本身作为一个技术发展情况(T-ALD,PE-ALD和 EC-ALD等);关键叙述了ALD技术在半导体领域(高k材料、IC互连技术等)应用。最终,对ALD未来发展应用前景进行了展望。 关键字：原子层沉积;薄膜沉淀;高K材料;铜互连 The Develpoement and Application of ALD Technology Su yuan SchoolofMicroelectronics,XidianUniversity, Xi’anShanxi710071 Abstract：The latest development of atomic layer deposition(ALD)technology was tentatively reviewed .ALD has been widely used in fabrication of electronics chips because ALD is capable of depositing highly pure homogenous films with well-controlled film thickness and chemical contents .The discus-sions focused on :i)the principle of ALD technology ,its characteristics,and technical advantages ;ii)the mechanisms of chemical self-limiting(CS) and possible ways to achieve ALD , such as thermal-ALD(T-ALD), plasma-enhanced ALD(PE-ALD), electro chemical ALD(EC-ALD), and etc.i;ii)its applications in synthesis ofhigh k materials , interconnecting materials for integrated circuit(IC).The development trends of ALD technology and its potential applications were also briefly discussed. Keyword：ALD ;Film-Deposition ; high-k material ; Cu-Interconnecting 一、引言 伴随半导体工艺不停发展，基于微结构集成期间在深入微型化和集成化，特征尺寸已经缩小到了亚微米和纳米量级。芯片尺寸和线宽不停缩小、功效不停提升成为半导体制造业技术关键，尤其是对薄膜要求日益增加，比如薄膜厚度均匀性和质量严格要求。这就使得传统CVD沉积技术，已极难有效地正确控制薄膜特征及满足日益严苛工艺技术要求，尤其是伴随复杂高深宽比和多孔纳米结构应用【1】。现在含有发展潜力一个技术就是原子层沉积(AtomicLayer Deposition,ALD)。 原子层沉积技术 (Atomic Layer Deposition；ALD)，最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy， ALE)，也称为原子层化学气相沉积 (Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD)。其产生能够追溯到芬兰科学家Suntolabo在20世纪六、七十年代研究工作。20世纪80年代后期，采取ALD 技术生长Ⅱ—Ⅵ族和Ⅲ—Ⅴ族单晶化合物和制备有序异质超晶格而受到关注，但因为这一工艺包含复杂表面化学过程和较低沉积温度，并没有取得实质性突破。20世纪90年代中后期，伴随微米和深亚微米芯片技术发展，集成器件深入微型化，结构深入复杂化，相比其它传统薄膜制备技术，ALD技术在加工三维高深宽比微纳结构超薄膜上优势逐步表现。自 国际半导体工业协会（ITRS）将ALD和金属有机化学气相沉积（MOCVD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）并列作为和微电子工艺兼容候选技术以来，其发展势头强劲，赢得众多科研人员关注【2】，已经成为新一代微纳器件功效薄膜制备中一项关键技术，为制造低成本、超精细微纳器件发明了条件