CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计说明.docxVIP

. .专业整理. . .学习帮手. 课程设计报告 设计课题：CMOS 二级密勒补偿运算放大器的设计 姓 名： XXX 专 业： 集成电路设计与集成系统 学 号： 1115103004 日 期 2015 年1月17日 指导教师： XXX 国立华侨大学信息科学与工程学院 :CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计 1:电路结构 最基本的CMO二级密勒补偿运算跨导放大器的结构如下图，主要包括四部 分：第一级PMO输入对管差分放大电路，第二级共源放大电路，偏置电路和相 位补偿电路。 VOD |pl7M5|^ |pl7 Cc M12|i—hE113!毎一綴GND M12 |i—hE113! 毎一綴 GND 第二脱 负找 2 :电路描述: 输入级放大电路由M1~M5成。M1和 M2组成PMO差分输入对管，差分输入 与单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰； M3和M4为电流镜有源负载；M5 为第一级放大电路提供恒定偏置电流。 输出级放大电路由M6和M7组成，M6为共源放大器，M7为其提供恒定偏置 电流同时作为第二级输出负载。 偏置电路由M8~M1赁口 Rb组成，这是一个共源共栅电流源，M8和M9宽长比 相同。M12和M13相比，源级加入了电阻 Rb,组成微电流源，产生电流lb。对 称的M11和M12构成共源共栅结构，减少了沟道长度调制效应造成的电流误差。 在提供偏置电流的同时，还为 M14栅极提供偏置电压。 相位补偿电路由M14和Cc组成，M14工作在线性区，可等效为一个电阻, 与电容Cc一起跨接在第二级输入输出之间，构成 RC密勒补偿。 3:两级运放主体电路设计 暂时不考虑调电m M14.愴出电路的等我橈型*如图2.3所示 Cc 十vid 十vid 图 图22等枚电路模型 由于第一级差分输入对管 M1与M2相同，有 G讪=g讪=g也 R1表示第一级输出电阻，其值为 则第一级的电压增益A = 则第一级的电压增益 A =实1尺=g閃2亿2 ro4 ) 对第二级，有 第二级的电压增益 第二级的电压增益 A = ~Gm2R2 = |ro7) 故总的直流开环电压增益为 九=4 九=4爲二-g说g加(金 将VGS-VT简场作 Vqst 有 而电阻Q由下式决定 TOC \o 1-5 \h \z 1 VfL r = = 0 ; I 1 八 TS fDS 所以 上丸中仅包含工艺参数A和役计赛敕认詰十由于A足工艺给定、所沃也路的直;庇增益仅 取决于过驱动电压. 4:偏置电路设计 偏置电路由M8~M13构成，其中包括两个故意失配的晶体管 M12和M13电 阻RB串联在M12的源极，它决定着偏置电流和gm12所以一般为片外电阻以 保证其精确稳定。为了最大程度的降低 M12的沟道长度调制效应，采用了 Cascode连接的M10以及用与其匹配的二极管连接的 M11来提供M10的偏置电 压。最后，由匹配的PMO器件M8和M9构成的镜像电流源将电流IB复制到M11 和M13同时也为M5和M7提供偏置。 下面进行具体计算。镜像电流源 M8和M9使得M13的电流与M12的电流 相等，都为IB，从而有 而由电路可知 ZsS13 二 ^GSIS 十 LRr 联立上式可以得到： 整理得:2/sKPn(W/L\ 整理得: 2/s KPn(W/L\3 务 l I D K耳(W/弘 e KPn{W!L)vRl\^{WlL] 可以看到，IB仅以电阻RB和M12,M13的尺寸有关，不受电源电压的影响。 二：计算参数 对于M0S1宽长比的设计，可以先选择合适的过驱动电压，然后分配合理 的电流，最后再计算宽长比。通常先选择过驱动电压为 0.1V~0.2V，如果是已知 跨导，就可以计算其电流和宽长比，如果是预先分配电流，也可以计算其跨导和 宽长比。 设计步骤: :选择Cc的大小。与Cc相关的是单位增益带宽、输入积分噪声、z1位置和 压摆率。Cc增大大有几个好处，增强极点分裂功能，降低输入积分噪声，降低 第二级功耗，提高相位裕度，但缺点是降低了 GBW和压摆率。而且Cc的选择和 负载取值有关，所以我们尽量增大Cc,前提是满足压摆率指标，然后增加gm1以 提高GBW在IDS1不变的前提下，gm1的提高可以通过降低 VDSAT1得到。本设 计中负载是3pF,考虑寄生电容存在，选取 Cc初值为1.8pF，在后面的步骤中 可以通过迭代调整Cc的值。 :相位补偿，选取gm6= 3.2gm1。 3：选择过驱动电压，VDSAT1降低有助于提高共模输入围,增大输出摆幅，降低 输入失调电压，提高电压增益，提高共模抑制比，提高负电源抑制比。另外，在 同等电流前提下，过驱动越小，跨导越大。所以 VDSAT1尽量取小比如0.1V。 4：分配电流。第一级电流增大有助于提高gm1,提高SRint，这里取ID