再结晶性能变化 — 硬度明显下降: 正在消除加工硬化的 影响 — 储能释放明显提高: 将释放 90% 的变 形总储能,用于再结晶的形核与长大 — 亚晶粒尺寸明显变大: 新的晶粒替代 亚晶粒 — 电阻率持续下降: 无畸变新晶粒出现, 点缺陷减少 再结晶过程机制 1. 晶界弓出形核(应变诱导晶界移动、凸出形核) 特点: 变形程度较小时( 小于 20% CW ),晶粒间变形不均匀、 位错密度不同 ,相应亚晶尺寸不同; 为 降低系统的自由能 ,位错密度小的晶粒中的亚晶通过晶界凸入另外晶粒中,以 吞食方式 开始形成无 畸变的 再结晶晶核 2. 亚晶转动、聚合形核 特点: 变形程度较大 时,或层错能较高 亚晶合并机制: 层错能较高 时,相邻亚晶界上的位错网络通过 解离 、 拆散 、位错的 攀移 、 滑移 ,逐渐转 移到周围其它亚晶界上,导致 亚晶合并; 合并后的亚晶的晶界上位错密度增加,逐渐转化为 大角度晶界 , 从而具有更大的迁移率,这种晶界移动后留下 无畸变的晶体 ,成为 再结晶核心 3. 亚晶界迁移、亚晶长大形核 亚晶迁移机制: 层错能较低 时,位错密度较大的亚晶界, 向位向差较大的周围亚晶方向迁移 ,并 逐渐转化为大角晶界,成为成核中心并长大 再结晶核心的长大 ? 长大实质: 具有临界曲率半径的大角界面向变形基体迁移消耗变形基体至全部 消失 ? 驱动力: 新晶粒与周围畸变母体之间的应变
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