改后,ReclaimCMP表面缺陷的优化与研究应用.doc

硕士硕士学位论文 题目： Reclaim CMP表面缺点 优化和研究 姓 名： 王玉 学 号： 院 系： 软件和微电子学院 专 业： 软件工程 研究方向： 集成电路设计 导师姓名： 孙雷副教授 二〇一六年九月 版权申明 任何收存和保管本论文多种版本单位和个人，未经本论文作者同意，不得将本论文转借她人，亦不得随意复制、抄录、拍照或以任何方法传输。不然，引发有碍作者著作权之问题，将可能负担法律责任 摘 要 伴随科技发展，在目前社会中，大规模集成电路、半导体器件等得到了越来越广泛应用，对其可靠性、电能性等性能要求也越来越高。伴随IC集成度越来越高，要求硅片衬底表面有愈加好平整度和洁净度。现在半导体生产中常见无图形硅片，根据一定设计淀积不一样膜层来模拟真实产品，监测设备及工艺条件，这种硅片称之为控挡片。控挡片根据不一样工艺需求经过一次或数次使用后，硅片表面产生很多损伤，这些表面损伤造成硅片无法再反复使用，这对半导体生产造成了很大开销，现在主流芯片厂靠从硅片制造厂家购置控挡片，使用后再进行循环加工满足生产需求，但要想控挡片满足工艺要求循环使用是一个降低成本路径。 IC集成度不停提升，随之带动是设备要求越高，对满足检测设备控挡片品控深入严格。再循环利用控挡片必需控制表面平坦化、洁净度、一定大小颗粒数及缺点在标准范围以内。现在平坦化工艺采取化学机械抛光方法，在抛光