集成电路制造工艺与工程应用-工艺制程整合.ppt

三.工艺制程整合 ①亚微米工艺制程整合(双阱+ LOCOS+ Polycide+Al) ②深亚微米工艺制程整合(双阱+STI+ Salicide+Al) ③纳米工艺制程整合(双阱+S∏+ Salicide+Cu HHN98  衬底制备 衬底选材。选用P型晶圆材料裸片做为衬底,电阻率为 8~12ohm/cm,晶向为100 2清洗。利用化学和物理的方法清除衬底自然氧化硅的同时 将晶圆表面的杂质尘粒、有机物和金属离子 3.生长初始氧化硅。利用炉管热氧化生长一层二氧化硅薄膜, 它是干氧氧化法 Psub 4晶圆刻号。用激光在晶圆底部凹口附近刻出晶圆的编码 5.清洗。清除激光刻号时留在晶圆表面的尘埃和颗粒 第零层光刻处理。通过微影将第零层掩膜版上的图形转移 到晶圆上,形成第零层的光刻胶图案 7.第零层刻蚀处理 8去光刻胶 HHN98 去除初始氧化层。  双阱工艺 清洗 2生长隔离氧化硅。利用炉管热氧化生长一层二氧化硅薄膜,它 是干氧氧化法。 3.PW光刻处理。通过微影技术将PW掩膜版上的图形转移到晶 圆上,形成PW的光刻胶图案,非PW区域保留光刻胶。 4量測PW套刻。收集曝光之后的PW与第零层的套刻数据,检 查PW与第零层是否对准,是否符合产品规 5.检查显影后曝光的图 PW离子注 去光刻胶。利用干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶 H