石墨相氮化碳光催化材料简介及性能.pptVIP

石墨相氮化碳（g-C3N4）材料简介 引言 g-C3N4的合成制备 g-C3N4的材料改性 g-C3N4的应用领域 展望 1. 引言 Fujishima TiO2 光解水示意图 1967 1. 引言 常见半导体在pH=0时的禁带宽度以及与标准氢电极电位、真空能级的相对位置 带隙较宽——对可见光响应弱或无响应 （如TiO2、ZnO） 带隙较窄——部分光腐蚀现象严重（如CdS） 均含有过渡金属元素 1. 引言 2008年 1. 引言 优点：非金属半导体、原料丰富价格低、带隙合适、化学稳定且无毒 缺点：比表面积比较低、有限的可见光吸收、光生载流子易复合 2. g-C3N4的合成制备 主流方法：热聚合——简单、快捷、大批量 其他方法：CVD、溶剂热——复杂、耗时、产量低 2. g-C3N4的合成制备 Tri-s-triazine 2. g-C3N4的合成制备 Urea : 58 m2/g Thiourea: 18 m2/g Dicyanamide: 10 m2/g 2. g-C3N4的合成制备 nanorod Templates: SiO2 AAO CaCO3 ionic liquids surfactants 3. g-C3N4材料改性 增加比表面积 增加可见光吸收范围 抑制光生电子-空穴的简单复合 目的： 3. g-C3N4材料改性 I. g-C3N4的剥离 石墨 石墨烯 Bulk g-C3N4 g-C3N4 nanosheet 0.9-2.1 nm 3-6 layers 3. g-C3N4材料改性 II. 元素掺杂 金 属 元 素：Fe、Cu、Zn、Ni等 非金属元素：O、P、S、B、I、F等 133.1 eV CB VB Midgap states 2.2 eV 2.68 eV 3. g-C3N4材料改性 III. 有机分子共聚 嘧啶 噻吩 吡啶 3. g-C3N4材料改性 IV. 构建异质结 4. g-C3N4的应用领域 I. 光解水 2008: 100μmol/h/g 2019: 10mmol/h/g 4. g-C3N4的应用领域 Bacterial Disinfection  II. 光降解污染物/杀菌 H+ ·OH Pollutants Degradation products ·OH OH- Pollutants Degradation products 水相中 4. g-C3N4的应用领域 III. CO2还原 目标产物的选择性取决于g-C3N4的纳米结构设计以及能带位置的构建 5.展望 开发可量产的剥离方法来制备单（几）层g-C3N4纳米片 寻找有效的水分解及CO2还原助催化剂，尤其是非贵金属助催化剂 提高光催化反应的量子产率 将氮化碳的应用拓展到传感器、生物成像以及光电器件等领域 Thanks for your listening