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- 2020-11-12 发布于天津
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器件及其集成电路的可靠性与失效分析提要作者成都市影响器件及其集成电路可靠性的因素很多有设计方面的如材料器件和工艺等的选取有工艺方面的如物理化学等工艺的不稳定性也有使用方面的如电热机械等的应力和水汽等的侵入等从器件和工艺方面来考虑影响集成电路可靠性的主要因素有三个一是栅极氧化层性能退化二是热电子效应三是电极布线的退化由于器件和电路存在有一定失效的可能性所以为了保证器件和电路能够正常工作一定的年限例如对于集成电路一般要求在年以上在出厂前就需要进行所谓可靠性评估即事先预测出器件或者的寿命或者失效率可靠
MOS器件及其集成电路的可靠性与失效分析（提要）
作者：Xie M. X. （UESTC，成都市）
影响MOS器件及其集成电路可靠性的因素很多，有设计方面的，如材料、器件和工艺 等的选取；有工艺方面的，如物理、化学等工艺的不稳定性；也有使用方面的，如电、热、 机械等的应力和水汽等的侵入等。
从器件和工艺方面来考虑，影响 MOS集成电路可靠性的主要因素有三个：一是栅极氧
化层性能退化；二是热电子效应；三是电极布线的退化。
由于器件和电路存在有一定失效的可能性， 所以为了保证器件和电路能够正常工作一定
的年限（例如，对于集成电路一般要求在 10年以上），在出厂前就需要进行所谓 可靠性评估， 即事
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