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PN7013-2 芯片测试报告
2012-12-15
孙国栋
1．测试信息
芯片名称： PN7013-2 对比芯片名称： IRS2113
芯片特点描述：
1. PN7013-2 ：电容采用积累方案，拉灌电流指标为 2A ， pad 顺序与 IRS2113 相同，封装形式： 16 lead DIP
2. IRS2113 ：目标芯片，封装形式： 14 lead DIP 。
测试目的：
1. 从误关断角度考核 PN7013-2 的抗 dv/dt 能力。
2. 与目标芯片做对比。
测试结论：
1. 母线电压分别为 50V ，75V ， 100V 时两款芯片测试现象一致均为误开启。
2. 两款芯片均在母线电压为 110V 时发生了误关断此时 PN7013-2 dv/dt 约为 16V/ns ，IRS2113 约为 12V/ns 。
测试结果：
Parameter PN7013-2 IRS2113
母线电压（ V ） dv/dt （V/ns ） 是否误关断 dv/dt （V/ns ） 是否误关断
50 1.3 否 2.4 否
75 6.2 否 6.5 否
100 10.05 否 8.4 否
110 16 是 12 是
2 ．目录
插入下面具体测试内容的目录
3 ．具体测试内容
3.1 PN7013-2 测试
测试波形对比：
50V
PN7013-2 IRS2113
黄色 — 外部功率管栅极信号 红色 -- VS 绿色 --HO
75V
PN7013-2 IRS2113
黄色 — 外部功率管栅极信号 红色 -- VS 绿色 --HO
100V
PN7013-2 IRS2113
黄色 — 外部功率管栅极信号 红色 -- VS 绿色 --HO
110V
PN7013-2 IRS2113
黄色 — 外部功率管栅极信号 红色 -- VS 绿色 --HO
误关断前——母线电压为 100V 误关断后——母线电压为 110V
PN7013-2 PN7013-2
黄色 — 外部功率管栅极信号 红色 -- VS 绿色 --HO
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