电子技术基础-模拟部分(第五版)期末复习指南.docx

电子技术基础-模拟部分（第五 版）期末复习指南 电子技术基础复习指南模拟部分(第五版) 一、绪论 1.3模拟信号和数字信号 区别：在时间和幅度上均是连续的信号称为模拟信号，在时间和幅度上不是连续的而是离散 的，这种信号称为模拟信号(数字信号较为稳定) 。 1.4放大电路模型 四种增益 (1)电压增益 ：0二A. ： j ⑵电流增益 i^Aii (3)互阻增益 ：0 = Arii 二、运算放大器2.1传输特性 二、运算放大器 2.1传输特性 (4)互导增益 1.5放大电路的主要性能指标 2.2理想运算放大器 解题步骤 (1)根据虚短 vid = 0 = Vp ⑵根据虚断 iid = 0 = 未接反馈端电位 (3)列电流方程(接反馈) ⑷结果 例题1 ：分析 (1)根据虚短 vp二VN ⑵根据虚断i id = 0 ，又接地vN = o ⑶因ii =if有：也 0 = ° V° R1 R3 (4)结果 V。= f (vj ； 、(1) 、 (1) (2) (3) (4) Vii -0 R1 ，又接地 例题2 二输入运算放大电路 根据虚短 Vp =VN 根据虚断iid = 0 因咕? ii2二i f有： 结果 Vo = f （Vi1,Vi2）； 例题3 ***、三输入运算放大电路 (1) 根据虚短 Vp =VN (2) 根据虚断i id 二 0 ，又接地vN = 0 (3) 因 ii1 ii2 ii3 二if 有.Vi1 Vi2 -0 R1 R2 (4) 结果 Vo = f(Vi1 ,Vi2 ) 5 例题三图 三、二极管及其基本电路 3.半导体 P型半导体 杂质离子：3价元素杂质（硼），空穴数远大于自由电子数，空穴为 多数载流子，自由电子 为少数载流子。 N型半导体 杂质离子：5价元素杂质（磷，砷 等），自由电子为 多数载流子，空穴为少数载流子。 3.2.1漂移与扩散 由于电场的作用而导致载流子的运动称为 漂移 由于载流子由高浓度区域到低浓度区域运动称为 扩散 忽略内电场，内电阻，反向电流的阻碍作用。 反偏断路，正偏短路。 (2)恒压降模型： 考虑内电场的作用 (3 )折线模型：(用的相对少一点) 考虑内电场的作用 也考虑内电阻的作用 锂理模型 恒压降槿型 锂理模型 恒压降槿型 断开二极管判断二极管两端口的电位所以 Va - -6V 判断是否截止或导通等例题5:多二极管电路如右图所示：解： 断开二极管 判断二极管两端口的电位 所以 Va - -6V 判断是否截止或导通等 例题5:多二极管电路 如右图所示： 解： 断开D1,D2; Va 二 Vi , Vb =3V , Vc = -4V ; 若D1导通_3V。若D2导通Vj辽-4V .即如图 当D1导通，D2不导通时 vi -3V ■ v° =3V Vi - 5slnv/trv) 例题五图 当D2导通，D1不导通时 Vj _ -4V Vo 一 -4V 二极管的计算 解题步骤 (1 )判断二极管的工作状态 断开二极管。 判断二极管两端口的电位。 判断是否截止或导通等。 例题4 如右图所示： 断开BD 由于 vc = -6V , Vb = -12V , vc vB 所以BD导通,二极管短路 当D1, D2都不导通时 _4V匚7\匚3 . V。二Vi =5sinwt 四、三极管及其放大电路基础 (1)三极管的工作条件(静态工作点的稳定问题) 计算 静态分析 动态分析 一、静态分析 两种类型 , 一、 F —T r L r 例题六图Rb Re 例题六图 例题七图 例题6 直流通路：略 电流分配方程： I c “ Ib Ie = (V ■ ) I b 输入回路方程： vcc =IbRb Jbe TeRe 输出回路方程： vc^IbRb Ube IeRe 结果 （i：）例题7 （i：） 2.输入回路方程求 B点电位： R b 2 vB = vcc B cc Rb1 + Rb2 3.由电位B求E点电位： ??? Ue = Ub _ U be 4.由E点电位求E极电流： I - Ue E Re 1.虚断：T I B = 0 I C = ： I B I E = （1 亠」）I B 5.根据I e及电流分配方程求Ib和Ic : I B Ie 6.结果： Vcc T c R： Uce Ue 二、动态分析（解题步骤） 例题八： （共射极，共集电极，共基极放大电路求 Au, Ri，Ro） 经典例题：课本 P131 例4.3.2 课本P194例4.6.2 如下图： 共射极放大电路： 1.画出微变等效电路：右图 2.求增益Au : Vf备 卜 r FV  I “ Uo R 1 L — u Ui Rl 微变等效电踣圏；馬 “0「be ieRl (1 JRJ ReRLicRe ReRL ic R