馈通滤波器分析.docxVIP

厂馈通滤波器类产品失效分析总结 目录 TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 陶瓷电容基础知识 3 1.1电容器陶瓷分类 3 1.1.1高频高介电容器瓷 3 1.1.2强介铁电陶瓷（二类瓷） 6 1.2电容器陶瓷微观结构 9 1.3介质损耗 10 1.3.1基本概念 10 1.3.2损耗的形式 10 1.3.3陶瓷材料的损耗 11 1.3.4陶瓷电容器的损耗 12 1.3.5造成电容器损耗的各组成电阻 13 1.4绝缘电阻（I R） 14 \o Current Document 馈通滤波器失效分析 14 2.1常见失效模式及机理 14 2.1.1引起电容器失效的主要失效机理 15 2.2馈通滤波器失效机理分析 15 2.2.1造成滤波器介质开裂的主要机理 15 2.2.2内电极缺陷 19 2.2.3银离子迁移 19 2.2.4潮湿对电参数恶化的影响 20 蛟龙工厂馈通滤波器类产品失效汇总 23 1陶瓷电容基础知识 电容器陶瓷分类 I类瓷是电容量随温度变化稳定度高的电容器瓷，主要用于高频谐振回路中。I类 瓷主要以钛、错、锡的化合物及固溶体为主晶相。 （主要用于：高频热稳定电容器瓷， 高频热补偿电容器瓷） □类瓷以高介电常数为特征，为具有钙钛矿型结构的强介铁电瓷料，如 BaTiO3、 Pb（Mg1/3Nb2/3）O3 。（主要用于：低频高介电容器瓷） m类瓷：半导体陶瓷 高频高介电容器瓷 厂金红石瓷：TiO2 钛酸盐瓷：CaTiO 3、SrTiO 3、MgTiO 3 按主晶相分 / 锡酸盐瓷：CaSnO 3 SrSnO 3 错酸盐瓷：CaZrO 3 （锯州锌系：ZnO — Bi 2O3-Nb 2O5 按a 值分（温度每变化1C时介电系数的相对变化率） ，a .V 0： TiO2、CaTiO3、SrTiO3 , a ￡ 0: MgTiO 3、CaSnO3、Sr SnO3、CaZrO 3 a 0: BaO - 4 TiO2 在平行板电容器中， 若在两板间插入固体电介质， 则在外加电场作用下， 固体介质中原 来彼此中和的正、负电荷产生位移，形成电矩，使介质表面出现束缚电荷， 极板上电荷增多, 造成电容量增大。 平行板电容器在真空中的电容量为: C Q 0（V/d）A 0 V V 0 极板间插入固体电介质后，电容量为: C 「Co r oA/d 式中：d为平板间距(m); A为面积(m2), V为平板上电压(V) , 「为相对介电常数, (0「)为介电材料的电容率，或称介电常数 (dielectric constant)(单位为F/m)。 放在平板电容器中增加电容的材料称为介电材料。显然它属于电介质。电介质 (dielectrics)就是指在电场作用下能建立极化的物质。如上所述，在真空平板电容间嵌入 一块电介质，当加上外电场时，则在正极板附近的介质表面上感应出负电荷， 负极板附近的 介质表面感应出正电荷。 这种感应出的表面电荷称为感应电荷， 亦称束缚电荷，如下图所示。 电介质在电场作用下产生束缚电荷的现象称为电介质的极化( polarize)。正是这种极化的结 果，使电容器增加电荷的存储能力。 (a)真空平板电容器 (a)真空平板电容器 (b)平板电容器中的束缚电荷 ++++ + + + + + 今)今n，今- 偶极子 p 平板电容器中介电材料的极化 极化强度:介电常数:高频高介电容器中电介质（离子晶体）的极化主要是电子位移极化和离子位移极化。原子核 电子极化者极化后电子位移极化4吗（厂+ +广）高子位移极化 极化强度: 介电常数: 高频高介电容器中电介质（离子晶体）的极化主要是电子位移极化和离子位移极化。 原子核 电子 极化者 极化后 电子位移极化 4吗（厂+ +广） 高子位移极化 a. TiO2. CaTiOjkX电子位移极化为主 [TiQJ八面体，Ti妃高价、小半役一离 子位移极化-强大的局部内电场耳 Ti, OJ 极化率大-电子位移极化 为主 金红石型晶体蟾构 b. CaSnOtV CaZrO^等以高子位移极化为主 Tt T。[（球 T ） - 【 T T - V T （热膨胀）-（r+4-r ） T -%〔极化率）按（rf +r） M T - T T （%＞。） c、BaO*4TiO, r Tt（尸-十】?-）Tt% TTteT 个 1.1.1.2产生高介电系数的原因 金红石型和钙钛矿型结构的陶瓷具有特殊的结构，离子位移极化后，产生强大的局 部内电场，并进一步产生强烈的离子位移极化和电子位移极化，使得作用在离子上 的内电场得到显著加强，故大。 钛酸镌州也是利用 SrTiO3钙钛矿型结构的内电场， 而加入钛酸州等，使之产生镌离