其他III-V族化合物半导体特点与工艺制备.pptVIP

其他III-V族化合物半导体特点和工艺制备;;回 顾;2.合成溶质扩散法 SSD(synthesis solute diffusion) 步骤：坩锅中盛Ga，Ga表面温度在1100℃～1150℃，坩锅底部籽晶处在1000～1050℃，P源温度在420℃，这时产生约105Pa的P蒸汽， GaP可以稳定生长。开始时，P蒸气与处于高温的Ga液表面反应生成GaP膜。此GaP膜将溶解于下面的Ga液中，并向坩锅底部扩散，由于坩锅底部温度较低，最后超过GaP溶解度时，就会析出晶体。如果P源足够，最后将Ga液全部转变成GaP晶体。如果有籽晶，则会沿着籽晶逐渐长大成大晶粒。 SSD法最大有点是生长晶体中的S坑少，而且合成与晶体生长都在常压下进行，并且掺杂的杂质Te，S的有效分凝系数比通常由熔体生长时大3～4倍，因此所得到的晶体中杂质分布比较均匀，但是生长速度比较慢而且多数情况下只得到多晶。 ;作业六;第七章III-V族化合物半导体的外延生长; 近年来表面工程学发展迅速，新的表面外延层或涂层技术层出不穷，气象沉积就是发展最快的新外延层和涂层技术之一. 定义: 所谓气象沉积是利用在气象中以物理或化学的反映过程，在工件表面形成具有特殊性能的金属或化合物外延层和涂层的方法. 　　; 分类: A.物理气象沉积（PVD）