屏蔽与接地技术总结汇编.docxVIP

屏蔽技术 1 屏蔽的定义 屏蔽可通过各种屏蔽体来吸收或反射电磁场骚扰的侵入 , 达到阻断骚扰传播的目的 ; 或者屏蔽 体可将骚扰源的电磁辐射能量限制在其内部 , 以防止其干扰其它设备。 （对两个空间区域之间进 行金属的隔离 , 以控制电场、磁场和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。 ） 一种是主动屏蔽 , 防止电磁场外泄 ; 一种是被动屏蔽 , 防止某一区域受骚扰的影响。 屏蔽就是具体讲 , 就是用屏蔽体将元部件、 电路、组合件、 电缆或整个系统的干扰源包围起来 , 防 止干扰电磁场向外扩散 ; 用屏蔽体将接收电路、 设备或系统包围起来 , 防止它们受到外界电磁场 的影响。因为屏蔽体对来自导线、电缆、元部件、电路或系统等外部的干扰电磁波和内部电磁波 均起着吸收能量 （涡流损耗 ） 、反射能量 （ 电磁波在屏蔽体上的界面反射 ） 和抵消能量 （ 电磁感应 在屏蔽层上产生反向电磁场 , 可抵消部分干扰电磁波 ） 的作用 , 所以屏蔽体具有减弱干扰的功 2. 屏蔽的分类 屏蔽可分为电场屏蔽、电磁屏蔽和磁屏蔽三类。电场屏蔽又包括静电场屏蔽和交变 电场屏蔽 ; 磁场屏蔽又包括静磁屏蔽和交变磁场屏蔽。 静电屏蔽常用于防止静电耦合和骚扰 , 即电容性骚扰 电磁屏蔽主要用于防止高频电磁场的骚扰和影响 ; 磁屏蔽主要用于防止低频磁感应 , 即电感性骚扰。 静电场屏蔽和交变电场屏蔽 , 以隔断两个电路之间的, 因此 , 静电屏蔽是以隔 , 以隔断两个电路之间的 , 因此 , 静电屏蔽是以隔 断两个电路之间的分布电容。静电感应 , 既两条线路位于地线之上时 , 若相对于地线对导体 1 加 有 V1 的电压 , 则导体 2 也将产生与 V1 成比例的电 V2 。由于导体之间必然存在静电电容 , 若 设电容为 C10 、C12 和 C20, 则电压 V1 就被 C12 和 C20 分为两部分 , 该被分开的电压就为 V2, 可用下式加以计算； , 在接地板与导体 1 、导体 2 之间就产生 , 在接地板与导体 1 、导体 2 之间就产生 了静电电容C1O 和C20。等效电路，增加了对地静电电容，消除了导体 1、2之间直接偶合 的静电电容。按示 2.1，由于C12=0,故与V 1无关,V2=0 。这就是静电屏蔽的原理。 我们若用金属壳体将干扰源屏蔽起来 , C1 为干扰源与屏蔽壳体之间的电容 , C2 为电子设备与 屏蔽壳体之间的电容 , Zm 为屏蔽壳体对地阻抗。可求得屏蔽后电子设备上的耦合干扰电压 :V sm = 3 2 C1 C2 Zm ZsV N / { ( co 2 C1 C2 Zm Zs1)- j co [ ( C1 + C2) Zm + C2 Zs ]} (2) 如果将屏蔽壳体理想接地，即Zm = 0 , 则V sm= 0 , 耦合干扰可完全消除，也就是说，要想完 全消 除上述干扰的必要条件是要求屏蔽壳体良好接地 ，在实际工作中，一般要求接地电阻小于 2mQ 就可以了。如果我们使用了屏蔽壳体 ，但不接地时，此时Zm = 且C1 C , C2 C , 则可断 定 V sm V s , 可知屏蔽后的耦合干扰 , 不但不能抑制 , 反而更加严重。 同样, 如果干扰源不屏蔽 , 而将电子设备屏蔽 ,结果与上述屏蔽效果类似。在实际工作中 ,是屏蔽 干扰源还是屏蔽受感器 ,建议进行综合全盘考虑 ,应根据简便、经济、操作方便、场地等具体情况 而定。对于平行导线 , 由于分布电容较大 , 耦合干扰尤其严重 , 需采用同轴电缆导线。有关同轴 电缆导线的抗干扰问题 ,后面将另行分析讨论。耦合干扰的大小与频率有关 ,频率升高 ,干扰增加。 故此,频率越高 ,采用屏蔽越有必要 ,屏蔽后的效果越明显。 电磁屏蔽 电磁屏蔽的机理就是电磁感应现象。 在外界交变电磁场作用下， 通过电磁感应屏蔽壳体内产生感 应电流，而这感应电流在屏蔽空间又产生了与外界电磁场方向相反的电磁场， 从而抵消了外界电 磁场 ,产生屏蔽效果。因此，电磁屏蔽较适用于高频。低频时感应电流小，屏蔽效果差；应保证 屏蔽壳体各部分具有良好的电气连续， 使感应电流能在壳体中流畅， 以便产生足够大的感应电磁 场来抵消外界电磁场，否则将影响屏蔽效果。 所谓电磁感应，即回路与回路之间的电磁偶合。当电流 i1、i2 通过导线 1 和 2 时,若分别构成 回路,则相互之间就产生电磁偶合。所谓偶合 ,即在导体 2 流过 i1 的成分，在导体 1 又流过 i2 成分。对导体 1 来说 ,i2 为不需要的电流 ,因此,它只能是对 i1 的噪声成分。 回路 1 与回路 2 之间的磁通便不相连接，这样即可完成屏蔽。但是，实际上，在防骚扰措施上 很少采用装入磁性材料的方法来进行屏蔽。 这是因为适当的带状高性能磁带比较昂贵